什么是电源转换器的空载时间及如何控制?

汽车、小型电动汽车 (EV) 、无绳工具和充电站对电源的要求越来越高,推动了向 48 V 电源系统的转变。这些系统的优点是效率高、损耗低、体积小和重量轻。所有这些电源系统将 48 V 总线提供的电源转换成可用电压,但需要使用电源转换器。

电源转换器使用开关电源技术,将 48 V 直流电转换为选定的电压。Texas InstrumentsUCC28251PWR 便是这方面的一款典型 48 V 转换器,该器件基于半桥配置型电源开关器件,如场效应晶体管 (FET) ,如图 1 中的 Q1 和 Q2。这些器件通过脉冲宽度调制 (PWM) 控制器控制,以产生、调节所需的输出电压。

图 1:典型的 DC-DC 转换器使用 PWM 控制器驱动半桥配置型功率 FET。控制器调节 FET 输入端的脉冲宽度,以产生输出端的所需电压 (VOUT) 并进行调节。(图片来源:Texas Instruments)

在该电路中,场效应管 Q1 和 Q2 构成半桥拓扑结构。这两个受控器件交替导通,以驱动变压器。场效应管 Q3 和 Q4 是同步整流器,将变压器次级的开关波形转换为直流。同步整流器消除了与半导体整流器相关的串联压降,从而提高了效率。这些整流 FET 必须与初级电源开关器件同步驱动。

逆变器拓扑结构可以替代上述器件,这种结构包括由四个场效应管构成的全桥或“H”桥电路,或用于三相转换器的六个场效应管级联全电桥电路。所有这些技术都使用一对或多对功率器件。成对器件串连,就像图 1 中的场效应管。

但是,这些拓扑结构都存在两个关键问题。第一个问题是,决不允许高压侧 (Q1) 和低压侧 (Q2) 的开关器件同时导通。否则,48 V 总线和接地之间会出现短路。这种情况被称为击穿,并且通常会损坏电源开关。通过独立控制每个电源器件的开关时间,可以防止击穿。其目标是让激活器件在非激活器件导通之前关断。

这两个事件(导通和关断)之间的延迟被称为初级空载时间。空载时间是通过比较在最大控制器脉冲宽度下,高压侧和低压侧 FET 的门极至源极电压 (VGS) 的转换时间来测量的(图 2) 。两组转换之间的延迟就是空载时间。

图 2:初级空载时间是通过比较在最大控制器脉冲宽度下、高压侧和低压侧 FET 的 VGS 转换时间来测量的。两组转换之间的延迟就是空载时间。在这个例子中,空载时间是1.498 ns 和 1.166 ns。(图片来源:Art Pini)

在图 2 中,低压侧 FET (VGS LO) 关断和高压侧 FET (VGS Hi) 导通之间的延迟是1.498 ns。另一种情况是,在高压侧场效应管关断和低压侧场效应管导通期间,延迟为 1.166 ns。如果这两个测量的延迟都为正,空载时间是可以接受的。注意,测量是在 PWM 控制器输出的最大脉宽下进行的。

在空载时间内,两个器件都没有导通;这就构成了“空载”损失。像所有损失一样,将其保持在最低限度变得越来越重要。

第二个关键问题是协调同步整流器的工作和初级开关动作。

图 1 所示的 UCC28251PWR 控制器可以控制半桥或全桥电路,并提供栅极驱动信号和具有可设置延迟的同步整流器输出。UCC28251PWR 控制初级侧的空载时间,还包括逐周期过流保护。初级输出和次级同步整流器驱动信号之间的延迟(称为初级空载时间)可通过两个外部电阻器单独设置。

PWM 控制器搭配使用初级侧半桥栅极驱动 IC——Texas Instruments UCC27210DDAR。这款 IC 驱动半桥配置中的两个 N 沟道 FET 的栅源级输入。由于自身的固有传播延迟,即 18 ns(典型值),该器件会影响初级侧的空载时间。通过匹配两个栅极驱动输出之间的延迟,可以将传播延迟问题最小化。UCC27210DDAR 栅极驱动器 IC 的输出在 2ns 内完成匹配。具有类似时序特性的同系列栅极驱动器用来驱动同步整流 FET。

总结

迁移到 48 V 系统在效率、尺寸和重量方面具有天然优势,但设计者需要了解空载时间原因以及如何将其降至最小。如图所示,特种 IC 具有保障 48 V 电源转换器正常工作的必要功能。这类 IC 控制初级和次级空载时间,消除了半桥和全桥电路拓扑结构中可能存在的主要问题。

关于此作者

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Arthur (Art) Pini 是 DigiKey 的特约作者。他拥有纽约城市学院的电气工程学士学位和纽约城市大学的电气工程硕士学位。Art 在电子领域拥有超过 50 年的经验,曾在 Teledyne LeCroy、Summation、Wavetek 和 Nicolet Scientific 担任重要工程和营销职位。Art 对测量技术很感兴趣,在示波器、频谱分析仪、任意波形发生器、数字化仪和功率计方面有着丰富的经验。

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