FET、MOSFET 阵列

结果 : 29
包装
托盘散装
配置
2 N 沟道(双)共源2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)4 N 沟道(全桥)4 N 沟道(太阳能逆变器)4 个 N 通道6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能
-碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss)
900V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)51A(Tc)91A(Tc)105A(Tc)114A(Tc)129A(Tc)149A(Tc)154A(Tc)191A(Tc)284A(Tc)338A(Tc)338A(Tj)350A(Tc)435A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 620A,18V2.7 毫欧 @ 510A,18V5 毫欧 @ 200A,18V5.5 毫欧 @ 200A,18V8 毫欧 @ 100A,18V10 毫欧 @ 120A,18V11.5 毫欧 @ 100A,18V14 毫欧 @ 100A,15V14 毫欧 @ 100A,20V16 毫欧 @ 100A,18V16 毫欧 @ 70A,18V30 毫欧 @ 50A,20V56 毫欧 @ 25A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4,3V @ 10mA4.3V @ 150mA4.3V @ 200mA4.3V @ 20mA4.3V @ 40mA4.4V @ 120mA4.4V @ 160mA4.4V @ 40mA4.4V @ 60mA4.4V @ 80mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
122.1nC @ 20V213.5nC @ 20V284nC @ 18V306nC @ 20V407nC @ 18V454nC @ 20V546.4nC @ 15V622nC @ 20V876nC @ 20V1195nC @ 20V1200nC @ 20V1800nC @ 18V2400nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1505pF @ 800V2420pF @ 800V4707pF @ 800V6211.6pF @ 800V6331pF @ 800V7007pF @ 450V9090pF @ 800V9129pF @ 800V11914pF @ 800V16410pF @ 800V20889pF @ 800V35000pF @ 400V45000pF @ 400V
功率 - 最大值
1.098W(Tc)74W74W(Tj)119W(Tj)244W(Tj)250W(Tj)272W(Tj)328W(Tj)352W(Tj)353W(Tj)371W(Tj)556W(Tc)785W(Tc)900W(Tj)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
22-PIM(33.8x42.5)29-PIM(56.7x42.5)34-PIM(56.7x42.5)36-PIM(56.7x62.8)-SSDC39
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
29结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 29
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
NXH010P120MNF1PNG
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
onsemi
50
现货
1 : ¥1,011.45000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
1200V(1.2kV)
114A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,20V
4.3V @ 40mA
454nC @ 20V
4707pF @ 800V
250W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NXH004P120M3F2PTHG
NXH003P120M3F2PTHG
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
onsemi
85
现货
40
工厂
1 : ¥1,841.95000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
350A(Tc)
5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 160mA
1195nC @ 20V
20889pF @ 800V
979W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
NXH004P120M3F2PTHG
NXH004P120M3F2PTHG
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
onsemi
31
现货
1 : ¥1,541.31000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
284A(Tc)
5.5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 120mA
876nC @ 20V
16410pF @ 800V
785W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
NXH004P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
onsemi
14
现货
1 : ¥2,003.85000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
435A(Tj)
5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 160mA
1200nC @ 20V
20889pF @ 800V
1.48kW(Tj)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
NFAM3065L4BL
NXH011T120M3F2PTHG
11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODUL
onsemi
12
现货
740
工厂
1 : ¥602.85000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(太阳能逆变器)
-
1200V(1.2kV)
91A(Tc)
16 毫欧 @ 70A,18V
4.4V @ 40mA
306nC @ 20V
6331pF @ 800V
272W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
29-PIM(56.7x42.5)
NXH007F120M3F2PTHG
NXH011F120M3F2PTHG
11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDG
onsemi
20
现货
280
工厂
1 : ¥1,120.80000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
碳化硅(SiC)
1200V(1.2kV)
105A(Tc)
16 毫欧 @ 100A,18V
4.4V @ 60mA
284nC @ 18V
6211.6pF @ 800V
244W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
34-PIM(56.7x42.5)
NXH007F120M3F2PTHG
NXH007F120M3F2PTHG
7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE
onsemi
17
现货
180
工厂
1 : ¥1,427.52000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
碳化硅(SiC)
1200V(1.2kV)
149A(Tc)
10 毫欧 @ 120A,18V
4.4V @ 60mA
407nC @ 18V
9090pF @ 800V
353W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
34-PIM(56.7x42.5)
NXH020U90MNF2PTG
NXH020U90MNF2PTG
SIC 2N-CH 900V 149A
onsemi
12
现货
1 : ¥1,415.53000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
900V
149A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,15V
4.3V @ 40mA
546.4nC @ 15V
7007pF @ 450V
352W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NFAM3065L4BL
NXH008T120M3F2PTHG
8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
onsemi
20
现货
40
工厂
1 : ¥1,515.43000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
129A(Tc)
11.5 毫欧 @ 100A,18V
4.4V @ 60mA
454nC @ 20V
9129pF @ 800V
371W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
29-PIM(56.7x42.5)
NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PTNG
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
onsemi
20
现货
3,400
工厂
1 : ¥1,769.13000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
338A(Tj)
5.5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 120mA
876nC @ 20V
16410pF @ 800V
1.1kW(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PNG
1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE
onsemi
20
现货
1 : ¥1,876.39000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
碳化硅(SiC)
1200V(1.2kV)
338A(Tc)
5.5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 120mA
876nC @ 20V
16410pF @ 800V
1.098W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
NVXR22S90M2SPB
SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
onsemi
4
现货
1 : ¥20,650.22000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
900V
510A(Tj)
2.7 毫欧 @ 510A,18V
4.3V @ 150mA
1800nC @ 18V
35000pF @ 400V
900W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
底座安装
模块
SSDC39
SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
NVXR22S90M2SPC
SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
onsemi
3
现货
1 : ¥19,942.35000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
900V
510A(Tj)
2.7 毫欧 @ 510A,18V
4.3V @ 150mA
1800nC @ 18V
35000pF @ 400V
900W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
底座安装
模块
SSDC39
SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB
NVXR17S90M2SPB
SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB
onsemi
4
现货
1 : ¥24,976.49000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
900V
620A(Tj)
2.1 毫欧 @ 620A,18V
4.3V @ 200mA
2400nC @ 18V
45000pF @ 400V
1kW(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
底座安装
模块
SSDC39
SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC
NVXR17S90M2SPC
SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC
onsemi
4
现货
1 : ¥24,976.49000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
900V
620A(Tj)
2.1 毫欧 @ 620A,18V
4.3V @ 200mA
2400nC @ 18V
45000pF @ 400V
1kW(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
底座安装
模块
SSDC39
SIC 2N-CH 1200V 30A
NXH040P120MNF1PTG
SIC 2N-CH 1200V 30A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥916.71000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(双)共源
-
1200V(1.2kV)
30A(Tc)
56 毫欧 @ 25A,20V
4,3V @ 10mA
122.1nC @ 20V
1505pF @ 800V
74W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NXH020F120MNF1PG
NXH040F120MNF1PTG
SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,030.33000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
30A(Tc)
56 毫欧 @ 25A,20V
4,3V @ 10mA
122.1nC @ 20V
1505pF @ 800V
74W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
22-PIM(33.8x42.5)
SIC 2N-CH 1200V 51A
NXH020P120MNF1PTG
SIC 2N-CH 1200V 51A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,030.33000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(双)共源
-
1200V(1.2kV)
51A(Tc)
30 毫欧 @ 50A,20V
4.3V @ 20mA
213.5nC @ 20V
2420pF @ 800V
119W(Tj)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
SIC 2N-CH 900V 154A
NXH010P90MNF1PTG
SIC 2N-CH 900V 154A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,170.47000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(双)共源
-
900V
154A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,15V
4.3V @ 40mA
546.4nC @ 15V
7007pF @ 450V
328W(Tj)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
NXH020F120MNF1PTG
SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,323.17000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
51A(Tc)
30 毫欧 @ 50A,20V
4.3V @ 20mA
213.5nC @ 20V
2420pF @ 800V
119W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
22-PIM(33.8x42.5)
NXH010P120MNF1PNG
NXH010P120MNF1PTG
SIC 2N-CH 1200V 114A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,482.12000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(双)共源
-
1200V(1.2kV)
114A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,20V
4.3V @ 40mA
454nC @ 20V
4707pF @ 800V
250W(Tj)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NXH020F120MNF1PG
NXH040F120MNF1PG
SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥760.06000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
30A(Tc)
56 毫欧 @ 25A,20V
4,3V @ 10mA
122.1nC @ 20V
1505pF @ 800V
74W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
22-PIM(33.8x42.5)
SIC 2N-CH 900V 154A
NXH010P90MNF1PG
SIC 2N-CH 900V 154A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥906.77000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(双)共源
-
900V
154A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,15V
4.3V @ 40mA
546.4nC @ 15V
7007pF @ 450V
328W(Tj)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
SIC 2N-CH 1200V 30A
NXH040P120MNF1PG
SIC 2N-CH 1200V 30A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥916.71000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(双)共源
-
1200V(1.2kV)
30A(Tc)
56 毫欧 @ 25A,20V
4,3V @ 10mA
122.1nC @ 20V
1505pF @ 800V
74W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NXH010P120MNF1PNG
NXH010P120MNF1PTNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,011.45000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
1200V(1.2kV)
114A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,20V
4.3V @ 40mA
454nC @ 20V
4707pF @ 800V
250W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
显示
/ 29

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。