产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅(SiC) | |
配置 | 2 N 沟道(双)共源 | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 154A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 100A,15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.3V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 546.4nC @ 15V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7007pF @ 450V | |
功率 - 最大值 | 328W(Tj) | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | - | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥906.77000 | ¥906.77 |
10 | ¥859.96100 | ¥8,599.61 |
28 | ¥836.56143 | ¥23,423.72 |
84 | ¥778.06071 | ¥65,357.10 |