产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅(SiC) | |
配置 | 6 N-沟道(3 相桥) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 510A(Tj) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.7 毫欧 @ 510A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.3V @ 150mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1800nC @ 18V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 35000pF @ 400V | |
功率 - 最大值 | 900W(Tj) | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | SSDC39 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
散装
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥20,650.22000 | ¥20,650.22 |