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市场产品
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 4 N 沟道（全桥） | |
FET 功能 | 碳化硅（SiC） | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 149A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 120A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 60mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 407nC @ 18V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9090pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 353W（Tj） | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 34-PIM（56.7x42.5） |
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,427.52000 | ¥1,427.52 |
| 20 | ¥1,337.08000 | ¥26,741.60 |
| 40 | ¥1,286.81650 | ¥51,472.66 |
