TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 单 FET,MOSFET

结果 : 1,840
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial Co
系列
-CMSHEXFET®OptiMOS®OptiMOS™PowerTrench®SGTSIPMOS®SIPMOS™STripFET™STripFET™ H6STripFET™ H7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V15 V20 V25 V28 V30 V35 V40 V45 V50 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150µA(Ta)13mA(Tj)21mA(Ta)30mA(Ta)30mA(Tc)34mA(Ta)35mA(Ta)40mA(Ta)50mA(Ta)51mA(Ta)53mA(Ta)60mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,10V1.8V,2.5V1.8V,2.7V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 9.7A,4.5V11.3 毫欧 @ 3A,4.5V12.3 毫欧 @ 12A,4.5V15 毫欧 @ 7.3A,8V15.5 毫欧 @ 5A,4.5V16 毫欧 @ 7A,4.5V17 毫欧 @ 7.2A,4.5V18 毫欧 @ 4.2A,10V18 毫欧 @ 5.8A,4.5V18 毫欧 @ 6.8A,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V19 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)570mV @ 1mA(典型值)650mV @ 1mA(最小)680mV @ 1mA(典型值)700mV @ 1mA(典型值)700mV @ 250µA(最小)750mV @ 11µA750mV @ 30µA800mV @ 1mA800mV @ 250µA800mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-8V±5V+6V,-8V±8V8V+10V,-20V±10V10V±12V12V±15V+16V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.5 pF @ 10 V9.5 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)200mW200mW(Ta)200mW(Tc)225mW225mW(Ta)230mW(Tc)250mW250mW(Ta)250mW(Tc)265mW(Ta)265mW(Ta),1.33W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-CP3-CPH3-MPAKMicro3™/SOT-23MINI3-G3-BPG-SC59-3PG-SOT-23-3PG-SOT23PG-SOT23-3PG-SOT23-3-5PG-SOT23-3-901PG-SOT23-PO
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,840结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 1,840
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
39,480
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21841
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta),300mA(Tc)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
140,009
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.24725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
506,476
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27177
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
384,705
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
14,883
现货
2,775,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28953
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
297,173
现货
1,410,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29870
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
77,144
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29870
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
671,543
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31337
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
180mA(Ta)
10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
459,375
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32434
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,194,948
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25938
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
610,744
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
464,468
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33699
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
458,242
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
441,109
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33718
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
70,783
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
820,867
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34432
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
433,570
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61574
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.05A(Ta)
1.8V,4.5V
200 毫欧 @ 600mA,4.5V
570mV @ 1mA(典型值)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
559,964
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57387
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
341,195
现货
84,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60518
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
819,574
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37183
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
711,941
现货
216,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57387
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
1.8V,2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA,2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
413,995
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37018
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
180,181
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
848,220
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
637,019
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39013
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 1,840

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。