20.2A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 28
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ E6CoolMOS™ P6SuperFET® IIThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
150 V200 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50.5 毫欧 @ 10A,10V58 毫欧 @ 10A,10V190 毫欧 @ 7.3A,10V190 毫欧 @ 7.6A,10V190 毫欧 @ 9.5A,10V199 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA3.5V @ 630µA3.5V @ 700µA3.5V @ 730µA4V @ 250µA4.2V @ 250µA4.5V @ 630µ4.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V28 nC @ 7.5 V37 nC @ 10 V63 nC @ 10 V73 nC @ 10 V74 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
420 pF @ 75 V1400 pF @ 100 V1450 pF @ 100 V1620 pF @ 100 V1750 pF @ 100 V2950 pF @ 25 V2950 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
34W(Tc)39W(Tc)52W(Tc)151W(Tc)208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO220-3-111PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO262-3PG-TO263-3PG-VSON-4Power88PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-220F-3
封装/外壳
4-PowerTSFNPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
11,063
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Infineon Technologies
10,597
现货
1 : ¥26.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.79206
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
4-PowerTxFN
FCMT199N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
onsemi
18,247
现货
1 : ¥42.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.61654
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
199 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
2950 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power88
4-PowerTSFN
PowerPAK 1212-8S
SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Vishay Siliconix
5,290
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.34798
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
20.2A(Tc)
7.5V,10V
58 毫欧 @ 10A,10V
4.2V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 75 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PG-TO-220-FP
IPA60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Infineon Technologies
133
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µ
37 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
PG-TO247-3
IPW60R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Infineon Technologies
256
现货
1 : ¥32.02000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-220-3
IPP60R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
1,977
现货
1 : ¥18.55000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
4,487
现货
1 : ¥18.72000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO-220-FP
IPA60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Infineon Technologies
483
现货
1 : ¥18.72000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R190P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Infineon Technologies
143
现货
1 : ¥19.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-220F
FCPF190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
onsemi
635
现货
1 : ¥30.87000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
199 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
2950 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
PG-TO247-3
IPW60R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Infineon Technologies
163
现货
1 : ¥31.94000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
AUIRFSL6535 back
IPI60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
Infineon Technologies
495
现货
1 : ¥18.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-220-3
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
199 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
2950 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
199 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
2950 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IPP65R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
580
现货
1 : ¥28.65000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
AUIRFSL6535 back
IPI65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
Infineon Technologies
480
现货
1 : ¥28.73000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.84430
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
20.2A(Tc)
7.5V,10V
50.5 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
28 nC @ 7.5 V
±20V
1450 pF @ 100 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TO-220-FP
IPA60R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥15.90190
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
IPA65R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥17.28690
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-111
TO-220-3 整包
TO-220-3
IPP65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥17.33878
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µA
37 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-111
TO-220-3 整包
PG-TO247-3
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
3.5V @ 730µA
73 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
显示
/ 28

20.2A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。