FCP190N60-GF102 已经过时且不再制造。
可用替代品:

MFR Recommended


onsemi
现货: 770
单价: ¥26.68000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 8,465
单价: ¥18.47000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥15.32450
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 3,284
单价: ¥47.21000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 87
单价: ¥27.91000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 890
单价: ¥23.32000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 849
单价: ¥50.24000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 887
单价: ¥15.60000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 123
单价: ¥52.87000
规格书

FCP190N60-GF102

DigiKey 零件编号
FCP190N60-GF102-ND
制造商
制造商产品编号
FCP190N60-GF102
描述
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20.2A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FCP190N60-GF102 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
199 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
74 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
基本产品编号