单 FET,MOSFET

结果 : 50
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V100 V125 V150 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A(Ta),4.1A(Tc)3.7A(Ta),12.3A(Tc)4.3A(Ta),14.4A(Tc)5.7A(Ta),18.6A(Tc)7.7A(Tc)12.6A(Ta),51.6A(Tc)14.1A(Tc)14.2A(Tc)15.1A(Tc)18.6A(Tc)20.2A(Tc)23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 30A,10V1.8 毫欧 @ 30A,10V5.4 毫欧 @ 20A,10V5.6 毫欧 @ 30A,10V5.8 毫欧 @ 30A,10V8.9 毫欧 @ 20A,10V9 毫欧 @ 30A,10V9.1 毫欧 @ 20A,10V9.3 毫欧 @ 20A,10V9.4 毫欧 @ 17A,10V9.4 毫欧 @ 30A,10V9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.2V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 7.5 V14.5 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V16 nC @ 7.5 V16 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V17 nC @ 7.5 V22.4 nC @ 10 V23 nC @ 7.5 V24 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
230 pF @ 75 V360 pF @ 50 V420 pF @ 75 V560 pF @ 50 V600 pF @ 125 V608 pF @ 100 V740 pF @ 75 V740 pF @ 100 V845 pF @ 50 V860 pF @ 100 V1050 pF @ 50 V1070 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
2.9W(Ta),6W(Tc)3.5W(Ta),19W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)5W(Ta),52W(Tc)5W(Ta),54.3W(Tc)5W(Ta),56.8W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)26W(Tc)35.7W(Tc)48W(Tc)52W(Tc)57W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-220 整包TO-220ABTO-247ACTO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
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50结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR622DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Vishay Siliconix
4,284
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.09331
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
12.6A(Ta),51.6A(Tc)
7.5V,10V
17.7 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1516 pF @ 75 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR690DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,175
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.91114
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34.4A(Tc)
7.5V,10V
35 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 7.5 V
±20V
1935 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Vishay Siliconix
11,046
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
7.7A(Tc)
6V,10V
177 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 75 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
563
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.53871
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
29A(Tc)
7.5V,10V
34.5 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 7.5 V
±20V
740 pF @ 75 V
-
69.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Vishay Siliconix
5,290
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.34798
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
20.2A(Tc)
7.5V,10V
58 毫欧 @ 10A,10V
4.2V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 75 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TO-220AB
SUP90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Vishay Siliconix
399
现货
1 : ¥13.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35.8A(Tc)
7.5V,10V
37.5 毫欧 @ 12.2A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,204
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.69964
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35.4A(Tc)
7.5V,10V
31.9 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4434ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Vishay Siliconix
9,338
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.29517
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.8A(Ta),4.1A(Tc)
7.5V,10V
150 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 125 V
-
2.9W(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
4,799
现货
1 : ¥22.82000
剪切带(CT)
800 : ¥13.79114
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
11155 pF @ 30 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Vishay Siliconix
1,246
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
800 : ¥14.59375
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
128A(Tc)
7.5V,10V
9 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3425 pF @ 75 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM90142E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Vishay Siliconix
861
现货
1 : ¥25.78000
剪切带(CT)
800 : ¥15.58878
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
90A(Tc)
7.5V,10V
15 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 100 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
455
现货
1 : ¥26.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
90A(Tc)
7.5V,10V
17 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±20V
4132 pF @ 100 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Vishay Siliconix
2,156
现货
1 : ¥40.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
100A(Tc)
7.5V,10V
5.4 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
6250 pF @ 75 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-252
SUD70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Vishay Siliconix
3,819
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.61337
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
50A(Tc)
7.5V,10V
8.9 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SO-8L
SIJ470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
690
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.31968
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
58.8A(Tc)
7.5V,10V
9.1 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2050 pF @ 50 V
-
5W(Ta),56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Vishay Siliconix
2,320
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.51437
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
14.1A(Tc)
7.5V,10V
105 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 7.5 V
±20V
608 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Vishay Siliconix
1,310
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
800 : ¥7.31340
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35.1A(Tc)
7.5V,10V
37.5 毫欧 @ 12.2A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPak SO-8L
SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,500
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.65357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
36.8A(Tc)
7.5V,10V
23.2 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1070 pF @ 75 V
-
69.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Vishay Siliconix
629
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
800 : ¥9.18041
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
131A(Tc)
7.5V,10V
5.6 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SUP40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Vishay Siliconix
103
现货
1 : ¥16.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
11155 pF @ 30 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SUP10250E-GE3
MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
Vishay Siliconix
248
现货
1 : ¥22.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
63A(Tc)
7.5V,10V
-
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
-
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Vishay Siliconix
897
现货
1 : ¥24.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
128A(Tc)
7.5V,10V
9.4 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3425 pF @ 75 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK 1212-8
SI7322ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Vishay Siliconix
4,900
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.02643
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
15.1A(Tc)
10V
57 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 50 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-220AB
SUP70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Vishay Siliconix
500
现货
50 : ¥13.18660
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
131A(Tc)
7.5V,10V
5.8 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 50 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK SO-8
SI7434ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Vishay Siliconix
5,980
现货
1 : ¥15.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.77465
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.7A(Ta),12.3A(Tc)
7.5V,10V
150 毫欧 @ 3.7A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 125 V
-
5W(Ta),54.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。