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IPB65R190C6ATMA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:
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IPB65R190C6ATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPB65R190C6ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB65R190C6ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPB65R190C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPB65R190C6ATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-3 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 7.3A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 730µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1620 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 151W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
