Infineon Technologies 单 FET，MOSFET

结果 : 7,487
系列
-*CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ 5CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）托盘散装盒管件袋
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
12 V14 V15 V20 V24 V25 V28 V30 V34 V40 V49 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA（Ta）90mA（Ta）100mA（Ta）110mA（Ta）120mA（Ta）140mA（Ta）150mA（Ta）170mA（Ta）180mA（Ta）190mA（Ta）200mA（Ta）210mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V0V，18V1.8V，2.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.7V，10V2.7V，4.5V2.8V，10V2.8V，4.5V3.3V，10V4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.29 毫欧 @ 50A，10V0.35 毫欧 @ 50A，10V0.39mOhm @ 100A, 10V0.4 毫欧 @ 150A，10V0.42 毫欧 @ 50A，10V0.44 毫欧 @ 88A，10V0.45 毫欧 @ 30A，10V0.45 毫欧 @ 30A，7V0.45 毫欧 @ 50A，10V0.47 毫欧 @ 50A，10V0.51mOhm @ 100A, 10V0.52 毫欧 @ 88A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
600mV @ 250µA（最小）600mV @ 500µA（最小）700mV @ 250µA700mV @ 250µA（最小）750mV @ 11µA750mV @ 3.7µA750mV @ 30µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA950mV @ 3.7µA1V @ 100µA1V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.59 nC @ 10 V0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.6 nC @ 10 V0.62 nC @ 4.5 V0.63 nC @ 10 V0.65 nC @ 10 V0.67 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-10V+5V，-16V±7V±8V±10V±12V±14V15V，12V±16V+18V，-15V+20V，-10V+20V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 50 V18 pF @ 30 V19 pF @ 25 V19.1 pF @ 25 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21 pF @ 25 V28 pF @ 25 V32 pF @ 25 V32 pF @ 30 V39 pF @ 25 V41 pF @ 15 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）300mW（Ta）300mW（Tc）360mW（Ta）400mW（Ta）500mW（Ta）500mW（Tc）520mW（Ta）540mW（Ta）560mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）0°C ~ 150°C（TJ）175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-FlipFet™6-PQFN 双通道（2x2）6-PQFN（2x2）6-PQFN（2x2）（DFN2020）6-TSOP8-PQFN 双（3.3x3.3）8-PQFN（3.1x3.1）8-PQFN（3.3x3.3），Power338-PQFN（3x3）8-PQFN（5x6）8-SO8-SOIC
封装/外壳
3-WDSON4-FlipFet™4-PowerLSFN4-PowerTSFN5-PowerSFN6-PowerVDFN6-VSSOP，SC-88，SOT-3638-LDFN 裸焊盘8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7,487结果
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/ 7,487
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
462,259
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.3A（Ta）
2.5V，4.5V
21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
200,462
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72963
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 5.2A，10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
115,723
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
74,532
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 230mA，10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
128,305
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
58,715
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77862
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
760mA（Ta）
4.5V，10V
600 毫欧 @ 600mA，10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
383,973
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50028
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
12,402
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79808
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
57 毫欧 @ 2.3A，10V
2V @ 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
179,070
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 190mA，10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
126,213
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.4A（Ta）
1.8V，2.5V
160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
750mV @ 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
106,149
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
1.8V，2.5V
23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
750mV @ 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
31,478
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
19,535
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58243
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
540mA（Ta）
4.5V，10V
650 毫欧 @ 270mA，10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
125,781
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Infineon Technologies
121,326
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.30536
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta），12A（Tc）
2.5V，4.5V
11.7 毫欧 @ 8.5A，4.5V
1.1V @ 10µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
1110 pF @ 10 V
-
1.98W（Ta），9.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
70,570
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
0V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
69,013
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87569
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.2A（Ta）
2.7V，4.5V
250 毫欧 @ 930mA，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
46,657
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72728
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.5A，10V
2V @ 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
30,485
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 1.2A，10V
2.5V @ 25µA
0.67 nC @ 4.5 V
±16V
64 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
320,948
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.91747
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
131,191
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92265
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
36,173
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
225,876
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.1A（Ta）
2.5V，4.5V
46 毫欧 @ 4.1A，4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
204,256
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94213
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
780mA（Ta）
2.7V，4.5V
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
207,400
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64340
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.5A（Ta）
2.5V，4.5V
140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
显示
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Infineon Technologies 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。