103A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

MSC025SMA120B SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3 Microchip Technology	119 现货	1 : ¥329.46000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	103A（Tc）	20V	31 毫欧 @ 40A，20V	2.8V @ 1mA	232 nC @ 20 V	+25V，-10V	3020 pF @ 1000 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 onsemi	462 现货	1 : ¥305.16000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	103A（Tc）	20V	28毫欧 @ 60A，20V	4.3V @ 20mA	203 nC @ 20 V	+25V，-15V	2890 pF @ 800 V	-	535W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 onsemi	253 现货 450 工厂	1 : ¥289.89000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	103A（Tc）	20V	28毫欧 @ 60A，20V	4.3V @ 20mA	203 nC @ 20 V	+25V，-15V	2890 pF @ 800 V	-	535W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IPB050N10NF2SATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	767 现货	1 : ¥16.42000 剪切带（CT） 800 : ¥9.16533 卷带（TR）	StrongIRFET™ 2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	103A（Tc）	6V，10V	5.05 毫欧 @ 60A，10V	3.8V @ 85µA	76 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 50 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3610STRLPBF MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK Infineon Technologies	200 现货	1 : ¥25.53000 剪切带（CT） 800 : ¥15.41104 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	103A（Tc）	-	11.6 毫欧 @ 62A，10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	-	5380 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GT065P06D5 MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L Goford Semiconductor	3,146 现货	1 : ¥12.23000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.30682 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	103A（Tc）	4.5V，10V	7 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	62 nC @ 10 V	±20V	5326 pF @ 30 V	-	178W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-DFN（4.9x5.75）	8-PowerTDFN
MSC025SMA120B4 TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247 Microchip Technology	30 现货	1 : ¥339.31000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	103A（Tc）	20V	31 毫欧 @ 40A，20V	2.8V @ 3mA	232 nC @ 20 V	+23V，-10V	3020 pF @ 1000 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4	TO-247-4
IMZA65R015M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥196.63000 管件	CoolSiC™ Gen 2	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	650 V	103A（Tc）	15V，20V	13.2 毫欧 @ 64.2A，20V	5.6V @ 13mA	79 nC @ 18 V	+23V，-7V	2792 pF @ 400 V	-	341W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-8	TO-247-4
APT100M50J MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 Microchip Technology	0 现货查看交期	20 : ¥420.34200 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	103A（Tc）	10V	38 毫欧 @ 75A，10V	5V @ 5mA	620 nC @ 10 V	±30V	24600 pF @ 25 V	-	960W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227	SOT-227-4，miniBLOC
APT100F50J MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP Microchip Technology	0 现货查看交期	10 : ¥527.97300 管件	POWER MOS 8™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	103A（Tc）	10V	36 毫欧 @ 75A，10V	5V @ 5mA	620 nC @ 10 V	±30V	24600 pF @ 25 V	-	960W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	ISOTOP®	SOT-227-4，miniBLOC
APTM120UM95FAG MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 Microsemi Corporation	0 现货	停产	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1200 V	103A（Tc）	10V	114 毫欧 @ 51.5A，10V	5V @ 15mA	1122 nC @ 10 V	±30V	30900 pF @ 25 V	-	2272W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SP6	SP6
IRF3610SPBF MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	103A（Tc）	10V	11.6 毫欧 @ 62A，10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	5380 pF @ 25 V	-	333W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NTC020N120SC1 SIC MOS WAFER SALES 20MOHM 1200V onsemi	0 现货	停产	-	托盘	停产	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	103A（Tc）	20V	28毫欧 @ 60A，20V	4.3V @ 20mA	203 nC @ 20 V	+25V，-15V	2890 pF @ 800 V	-	535W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	模具	模具