Name: IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Price: 196.63 CNY
Availability: OutOfStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™ Gen 2
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	103A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13.2 毫欧 @ 64.2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.6V @ 13mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	79 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2792 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	341W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO247-4-8
封装/外壳	TO-247-4
基本产品编号	IMZA65R015

IMZA65R015M2HXKSA1