存储器

结果 : 4
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncWinbond Electronics
包装
托盘管件
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM
存储容量
128Mb256Mb512Mb
存储器组织
16M x 1616M x 832M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O，QPI，DTR并联
时钟频率
133 MHz166 MHz167 MHz200 MHz
写周期时间 - 字，页
800µs-
访问时间
5 ns5.4 ns
电压 - 供电
1.65V ~ 1.95V3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C（TA）-40°C ~ 85°C（TA）0°C ~ 70°C（TA）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）54-TFBGA54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC54-TFBGA（8x8）54-TSOP II54-TW-BGA（8x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
54-TSOP
W9825G6KH-5
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Winbond Electronics
0
现货
查看交期
1 : ¥18.96000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
256Mb
16M x 16
并联
200 MHz
-
5 ns
3V ~ 3.6V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装型
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
54-TSOP II
0
现货
查看交期
540 : ¥14.02372
管件
-
管件
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O，QPI，DTR
133 MHz
800µs
-
1.65V ~ 1.95V
-40°C ~ 105°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
0
现货
查看交期
348 : ¥25.52330
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
256Mb
16M x 16
并联
166 MHz
-
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
54-TFBGA
54-TFBGA（8x8）
0
现货
查看交期
240 : ¥84.16042
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
512Mb
32M x 16
并联
167 MHz
-
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
54-TFBGA
54-TW-BGA（8x13）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。