单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-EHEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V20 V25 V30 V40 V60 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）1.2A（Ta）1.5A（Ta）1.7A（Tc）2.3A（Tc）2.8A（Ta）2.8A（Tc）4A（Ta）4.2A（Ta）5.8A（Tc）7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 3A，10V35 毫欧 @ 4.4A，4.5V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V58 毫欧 @ 4A，4.5V80 毫欧 @ 4.8A，10V110 毫欧 @ 2.5A，10V156 毫欧 @ 1.9A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V2.75 欧姆 @ 1A，10V3.4 欧姆 @ 500mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.2V @ 250µA1.8V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V6.5 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7 nC @ 10 V12 nC @ 5 V19.6 nC @ 10 V21 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V33.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V65 pF @ 25 V85 pF @ 25 V190 pF @ 30 V250 pF @ 24 V315 pF @ 100 V459 pF @ 40 V740 pF @ 15 V960 pF @ 4 V1365 pF @ 15 V1643 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）420mW（Ta）540mW（Ta）810mW（Ta）960mW（Ta），1.7W（Tc）1.09W（Ta），1.66W（Tc）1.1W（Ta）1.25W（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）26W（Tc）62.5W（Tc）
供应商器件封装
DFN2020MD-6Micro3™/SOT-23POWERDI3333-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-26TO-252TO-252AA
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
373,186
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4503NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
onsemi
341
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 24 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
141,813
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80297
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
30,346
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
5.8A（Tc）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
91,375
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10821
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
46,024
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
156 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 30 V
-
1.09W（Ta），1.66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 26
ZXMN6A08E6TA
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Diodes Incorporated
28,134
现货
738,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52802
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.8A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.8A，10V
1V @ 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
459 pF @ 40 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
PowerDI3333-8
DMP4025SFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
4,645
现货
396,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80575
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB47XP,115
MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,902
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84479
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
58 毫欧 @ 4A，4.5V
900mV @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
1365 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
RB098BM-40FNSTL
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Rohm Semiconductor
2,318
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.26340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1.7A（Tc）
10V
3.4 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
6.5 nC @ 10 V
±20V
65 pF @ 25 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Vishay Siliconix
1
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2.8A（Tc）
10V
2.75 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
19.6 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 100 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。