SIHD2N80E-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | SIHD2N80E-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHD2N80E-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
原厂标准交货期 | 15 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 800 V 2.8A(Tc) 62.5W(Tc) TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.75 欧姆 @ 1A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19.6 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 315 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 62.5W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-252AA | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥11.25000 | ¥11.25 |
10 | ¥9.17900 | ¥91.79 |
100 | ¥7.13920 | ¥713.92 |
500 | ¥6.05144 | ¥3,025.72 |
1,000 | ¥4.92950 | ¥4,929.50 |
3,000 | ¥4.64056 | ¥13,921.68 |
6,000 | ¥4.41958 | ¥26,517.48 |
12,000 | ¥4.21561 | ¥50,587.32 |
制造商标准包装
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