单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）1.5A（Ta）3A（Ta）3A（Ta），8A（Tc）3.5A（Ta）3.7A（Ta）4.3A（Ta），10A（Tc）5A（Ta）7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
69 毫欧 @ 3A，10V73 毫欧 @ 8A，10V75 毫欧 @ 5A，10V100 毫欧 @ 5.2A，10V120 毫欧 @ 3A，10V125 毫欧 @ 2.2A，10V134 毫欧 @ 1A，10V170 毫欧 @ 2A，10V350 毫欧 @ 900mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V11 nC @ 5 V15.1 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17.7 nC @ 10 V18 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V27 pF @ 25 V60 pF @ 25 V206 pF @ 30 V430 pF @ 30 V540 pF @ 30 V584 pF @ 25 V637 pF @ 30 V660 pF @ 10 V724 pF @ 30 V825 pF @ 30 V950 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）720mW（Ta）1W（Ta）1.56W（Ta）1.79W（Ta）2W（Ta）2.2W（Ta）2.3W（Ta），15W（Tc）3.1W（Ta）8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-223SOT-223-3SOT-223（TO-261）SOT-23SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
154,501
现货
11,367,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-60PX
MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Nexperia USA Inc.
1,821
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16535
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta），8A（Tc）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 3A，10V
3.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
724 pF @ 30 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SOT223
BUK9880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
146,057
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.78210
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
7A（Tc）
4.5V，10V
73 毫欧 @ 8A，10V
2V @ 1mA
11 nC @ 5 V
±15V
584 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodes Incorporated
53,444
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.02749
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 2.2A，10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
6,000
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68514
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4V，10V
134 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V，-20V
660 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-223 (TO-261)
NTF5P03T3G
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
onsemi
14,071
现货
8,000
工厂
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.29141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.7A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 5.2A，10V
3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
1.56W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
SOT-23-3
DMP6350S-7
MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Diodes Incorporated
54,853
现货
1,431,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16894
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
350 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 30 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMN6069SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Diodes Incorporated
6,618
现货
257,500
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.39442
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Ta），10A（Tc）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
825 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,729
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,949
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSFT04N15
SSFL6912
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 60V, S
Good-Ark Semiconductor
4,550
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88931
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Ta）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
1.79W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-261-4, TO-261AA
PJW3P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,996
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.69907
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。