单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.
系列
-aMOS5™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）150mA（Ta）170mA（Ta）170mA（Tj）190mA（Ta）200mA1A（Tj）2A（Ta）38A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
95 毫欧 @ 19A，10V280 毫欧 @ 2A，10V800 毫欧 @ 1A，10V5 欧姆 @ 150mA， 10V5 欧姆 @ 200mA，10V6 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 120mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V6 欧姆 @ 250mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA2.8V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 10 V1.3 nC @ 5 V1.8 nC @ 10 V2 nC @ 10 V3.2 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V78 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 25 V20 pF @ 25 V31.6 pF @ 50 V40 pF @ 25 V45 pF @ 25 V60 pF @ 25 V73 pF @ 25 V330 pF @ 50 V388 pF @ 40 V4010 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）250mW（Ta）300mW（Ta）350mW350mW（Ta）500mW（Ta）770mW1.2W（Ta）41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220FTO-236AB
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
159,633
现货
13,095,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
286,538
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 120mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
22,935
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
284,609
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI01P10-TP
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Micro Commercial Co
43,131
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90097
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tj）
-
800 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
388 pF @ 40 V
-
770mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
112,143
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
BSS123K-TP
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Micro Commercial Co
17,148
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 250mA，10V
2.5V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
924
现货
1 : ¥39.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
38A（Tj）
10V
95 毫欧 @ 19A，10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 100 V
-
41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
BSS123
BSS123
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Good-Ark Semiconductor
7,229
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 150mA， 10V
3V @ 250µA
0.74 nC @ 10 V
±20V
31.6 pF @ 50 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
20,725
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29687
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AS2324
AS2324
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
29,159
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Ta）
4.5V，10V
280 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 50 V
-
1.2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。