21A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 190
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesasRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-C3M™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFD7ACoolMOS™ CPEEFELFDmesh™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V35 V40 V55 V60 V100 V150 V200 V250 V300 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V5V,20V8V,10V10V10V,12V15V18V18V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.4 毫欧 @ 19A,10V9 毫欧 @ 5A,10V11 毫欧 @ 21A,10V11 毫欧 @ 7A,4.5V11.6 毫欧 @ 14A,10V13 毫欧 @ 5A,10V19 毫欧 @ 10A,10V25 毫欧 @ 21A,10V28 毫欧 @ 7A,10V29 毫欧 @ 5.6A,10V33 毫欧 @ 10A,10V40 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.15V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 5mA3V @ 1mA3V @ 250µA3.26V @ 500µA3.5V @ 1mA3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12.2 nC @ 10 V13 nC @ 5 V13 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V20.6 nC @ 10 V22 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26 nC @ 15 V29.6 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±12V±15V+19V,-8V+20V,-5V±20V+22V,-4V+23V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
460 pF @ 500 V481 pF @ 1.2 kV500 pF @ 25 V510 pF @ 1000 V530 pF @ 1000 V550 pF @ 50 V600 pF @ 20 V630 pF @ 25 V640 pF @ 400 V652 pF @ 1000 V660 pF @ 30 V700 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.28W1.28W(Ta),2.1W(Tc)1.3W(Ta)1.5W(Ta)1.7W(Ta)3W(Ta),200W(Tc)3.13W(Ta),140W(Tc)3.8W(Ta),94W(Tc)3.9W(Ta),15.6W(Tc)4.1W(Ta),29.7W(Tc)26W(Tc)27W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN3333(3.3x3.3)8-HWSON(3.3x3.3)8-MLP(3.3x3.3)8-TSSOPD2PAKD2PAK-7D3PAKI2PAKISOPLUS i4-PAC™ISOPLUS220™ISOPLUS247™ISOPLUS264™
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘i4-Pac™-5ISOPLUS220™PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
190结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 190
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,329
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.24534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Tc)
8V,10V
52 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-247-3 AC EP
IRFP9140PBF
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
Vishay Siliconix
1,991
现货
1 : ¥23.40000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
21A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
180W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Infineon Technologies
6,043
现货
1 : ¥40.47000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.93083
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 790µA
52 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 100 V
-
192W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,769
现货
1 : ¥72.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
21A(Tc)
18V
156 毫欧 @ 6.7A,18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V,-4V
460 pF @ 500 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
823
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
21A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 12A,15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
DMPH4015SPSQ-13
DMP3028LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
5,934
现货
340,000
工厂
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86659
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Tc)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1372 pF @ 15 V
-
1.28W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,119
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.09335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
21A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
4.1W(Ta),29.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
Infineon Technologies
9,182
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.44909
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Tc)
8V,10V
52 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Infineon Technologies
2,432
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.81965
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Tc)
8V,10V
53 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
887 pF @ 75 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
onsemi
2,350
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
800 : ¥7.45108
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
21A(Tc)
5V,10V
140 毫欧 @ 10.5A,10V
2V @ 250µA
35 nC @ 5 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220F
FDPF320N06L
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
onsemi
1,077
现货
1 : ¥16.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
21A(Tc)
5V,10V
25 毫欧 @ 21A,10V
2.5V @ 250µA
30.2 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
D2Pak
STB28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STMicroelectronics
764
现货
1 : ¥28.16000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.56580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 10.5A,10V
5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-VSON-4
IPL65R099C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Infineon Technologies
9,176
现货
1 : ¥50.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥24.82584
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
21A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 5.9A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-247-3 HiP
STW28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
STMicroelectronics
134
现货
1 : ¥63.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
158 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1735 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-F
STF28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
STMicroelectronics
919
现货
1 : ¥18.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 10.5A,10V
5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3FP
SIHF22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Vishay Siliconix
950
现货
1 : ¥22.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±30V
1920 pF @ 100 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-247-3 AC EP
SIHG22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Vishay Siliconix
464
现货
1 : ¥24.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±30V
1920 pF @ 100 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
SIHB24N80AE-GE3
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Vishay Siliconix
579
现货
1 : ¥28.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
21A(Tc)
-
184 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
1836 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
SIHB22N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Vishay Siliconix
555
现货
1 : ¥28.16000
剪切带(CT)
800 : ¥16.98193
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±30V
1920 pF @ 100 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3 Type A
STP28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
STMicroelectronics
220
现货
1 : ¥30.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 10.5A,10V
5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
SPP21N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
Infineon Technologies
1,915
现货
1 : ¥35.30000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 13.1A,10V
3.9V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220-F
STF28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
STMicroelectronics
1,601
现货
1 : ¥35.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
158 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1735 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Infineon Technologies
2,888
现货
1 : ¥36.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥18.95726
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
560 V
21A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 13.1A,10V
3.9V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO247-3
IPW60R165CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Infineon Technologies
120
现货
1 : ¥45.98000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 790µA
52 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 100 V
-
192W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
D²PAK
STB28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
STMicroelectronics
999
现货
1 : ¥53.53000
剪切带(CT)
1,000 : ¥30.34066
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
21A(Tc)
10V
158 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1735 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 190

21A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。