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市场产品
SIHB24N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHB24N80AE-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 800 V 21A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2PAK） |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 184 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 89 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1836 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 208W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263（D2PAK） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.08000 | ¥28.08 |
| 50 | ¥22.25340 | ¥1,112.67 |
| 100 | ¥19.07470 | ¥1,907.47 |
| 500 | ¥16.95522 | ¥8,477.61 |
| 1,000 | ¥14.51797 | ¥14,517.97 |
| 2,000 | ¥13.67019 | ¥27,340.38 |
| 5,000 | ¥13.11516 | ¥65,575.80 |
制造商标准包装
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