![C2D10120D C2D10120D](http://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5706/MFG_1697_C2D10120D.jpg)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
C2M0025120D | |
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DigiKey 零件编号 | C2M0025120D-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | C2M0025120D |
描述 | SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 90A(Tc) 463W(Tc) TO-247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | C2M0025120D 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 34 毫欧 @ 50A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 10mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 161 nC @ 20 V | |
Vgs(最大值) | +25V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2788 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 463W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
文档与媒体
资源类型 | 链接 |
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规格书 | C2M0025120D |
特色产品 | SpeedFit™ Online Simulator |
PCN 设计/规格 | |
PCN 组装/来源 | Mult DEV Assembly Site 02/Oct/2024 |
PCN 封装 | Cartons/Discrete Part & Carton labels 04/Dec/2024 |
文库 | Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency |
HTML 规格书 | C2M0025120D |
EDA 模型 | C2M0025120D 型号 |
环境与出口分类
属性 | 描述 |
---|---|
RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
REACH 状态 | 受 REACH 影响 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
现货: 412
美国库存可立即发货
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
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1 | ¥788.07000 | ¥788.07 |
30 | ¥649.35467 | ¥19,480.64 |
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属性 | 描述 |
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标准包装 | 30 |