单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.7A（Ta）35.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 5.7A，4.5V31.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.6 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 15 V1380 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
510mW（Ta），6.94W（Tc）104W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
28,048
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92136
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.7A（Ta）
1.8V，4.5V
23 毫欧 @ 5.7A，4.5V
900mV @ 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,474
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.69964
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35.4A（Tc）
7.5V，10V
31.9 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。