单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
50 V60 V80 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)115mA(Tc)130mA(Ta)160mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)220mA(Ta)300mA(Ta)310mA(Ta)340mA(Tj)350mA(Ta)380mA(Ta)500mA(Ta)1.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,10V2.5V,10V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V10V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.7 毫欧 @ 50A,10V110 毫欧 @ 6A,10V150 毫欧 @ 11A,10V170 毫欧 @ 1.9A,10V290 毫欧 @ 1.2A,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 500mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V4.2 欧姆 @ 160mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 35µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.233 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 5 V1 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V18 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 15 V27 pF @ 25 V30 pF @ 25 V34 pF @ 10 V35 pF @ 25 V36 pF @ 25 V40 pF @ 10 V45 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V430 pF @ 30 V620 pF @ 40 V785 pF @ 30 V1160 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)223mW(Ta)225mW(Ta)300mW(Ta)310mW(Ta)350mW350mW(Ta)370mW(Ta)430mW500mW(Ta)1.25W(Ta)2W(Ta),40W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323SOT-523TO-220ABTO-236ABTO-252
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70,SOT-323SOT-523TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
97,099
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.24725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
332,891
现货
56,901,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28983
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
446,460
现货
12,507,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
295,032
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.78768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
2.2A(Tc)
6V,10V
290 毫欧 @ 1.2A,10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
52,043
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Infineon Technologies
8,456
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.78609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
15A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-236AB
BSS84AKVL
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
19,963
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.22844
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
180mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Diodes Incorporated
32,738
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32005
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.233 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BKVL
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
27,723
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27766
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
Nexperia USA Inc.
24,400
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38263
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
34 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT 23-3
2V7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
20,144
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54609
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD14P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,477
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.90968
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
2W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT 23
2N7002KA-TP
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Micro Commercial Co
2,350
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31153
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
340mA(Tj)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAT54
2N7002K
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Good-Ark Semiconductor
72,661
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19452
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
10V,5V
-
2.5V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
199,939
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
37,524
现货
1 : ¥1.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.8 nC @ 5 V
±20V
35 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
285,635
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32207
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
500mA(Ta)
2.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
PJE138L_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
25,280
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.69313
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
160mA(Ta)
1.8V,10V
4.2 欧姆 @ 160mA,10V
1.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
15 pF @ 15 V
-
223mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
0
现货
查看交期
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.9A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.9A,10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。