Name: SSM3J66MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND
Price: 2.63 CNY
Availability: InStock

SSM3J66MFV,L3F
DigiKey 零件编号	264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND - 卷带（TR） 264-SSM3J66MFV,L3FCT-ND - 剪切带（CT） 264-SSM3J66MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM3J66MFV,L3F
描述	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM3J66MFV,L3F 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	800mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	390毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	+6V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	100 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150mW（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	VESM
封装/外壳	SOT-723
基本产品编号	SSM3J66

数量	单价 (含13%增值税)	总价 (含13%增值税)
8,000	¥0.34981	¥2,798.48
16,000	¥0.34892	¥5,582.72

SSM3J66MFV,L3F