SOT-723 单 FET,MOSFET

结果 : 61
制造商
Comchip TechnologyGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoNuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageYAGEO XSEMI
系列
-U-MOSIIIU-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVII-HXP2N1K2Eπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA100mA(Ta)180mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)215mA(Ta)250mA(Ta)260mA(Ta)300mA300mA(Ta)340mA400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,4.5V1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V,4.5V1.5V,4V1.5V,5V1.65V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,4V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V300 毫欧 @ 500mA,4.5V350 毫欧 @ 890mA,4.5V380 毫欧 @ 650mA,4.5V390毫欧 @ 800mA,4.5V450 毫欧 @ 300mA,4.5V480 毫欧 @ 780mA,4.5V600 毫欧 @ 300mA,4.5V630 毫欧 @ 200mA,5V750毫欧 @ 300mA,10V800 毫欧 @ 450mA,1.8V850毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA800mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.45V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA1.5V @ 250µA1.7V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.34 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 2.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.86 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 10 V1.23 nC @ 4 V1.28 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V2 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+6V,-8V±6V±7V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7.1 pF @ 10 V8.5 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 10 V12 pF @ 3 V12 pF @ 10 V12.2 pF @ 3 V13 pF @ 5 V13.5 pF @ 3 V15 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)150mW150mW(Ta)200mW250mW(Ta)270mW275mW280mW(Ta)310mW(Ta)350mW (Tj)446mW(Ta)450mW500mW(Ta)150W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-723SSSMini3-F2-BSSS迷你型3-F1SSS迷你型3-F2VESMVMT3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
61结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 61
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
66,579
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
749,730
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.39900
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
1.2V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
87,193
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.50382
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
608,172
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.50622
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
19,890
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.55104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
898,303
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.65299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
onsemi
68,319
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.13548
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
120 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
184,046
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.20069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
19,000
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.21000
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
4 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
8.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
SSM3K16FV,L3F
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
6,969
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.26403
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.5V,4V
3 欧姆 @ 10mA,4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
64,728
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.27701
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
-
8 欧姆 @ 50mA,4V
-
-
-
12.2 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
21,311
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.27701
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT 723
MC3541A-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Micro Commercial Co
23,414
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.27028
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA
2.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.45V @ 250µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 30 V
-
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
22,439
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.5V,4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
113,990
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34508
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
235,209
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
724,975
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3134NT5G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
onsemi
23,993
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.46055
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
120 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3043NT5G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
12,162
现货
80,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.41476
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
6,133
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34981
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
439,962
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.49432
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.5V,5V
630 毫欧 @ 200mA,5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RSM002P03T2L
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
19,258
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.07754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
200mA(Ta)
4V,10V
1.4 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
30 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
343,916
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.55104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
-
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Rohm Semiconductor
21,142
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.80846
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
1.8V,4V
1 欧姆 @ 300mA,4V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RSM002N06T2L
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Rohm Semiconductor
30,084
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.58292
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
250mA(Ta)
2.5V,10V
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
显示
/ 61

SOT-723 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。