Toshiba Semiconductor and Storage 单 FET,MOSFET

结果 : 1,066
系列
-*DTMOSIIDTMOSIVDTMOSIV-HDTMOSVDTMOSVIU-MOSIIU-MOSIIIU-MOSIII-HU-MOSIVU-MOSIV-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V32 V34 V38 V40 V45 V50 V60 V75 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA(Ta)100mA(Ta)150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)200mA(Ta)250mA(Ta)300mA(Ta)330mA(Ta)400mA(Ta)500mA(Ta)650mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V,2.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.5V,5V1.8V,10V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,8V2V,4.5V2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.3mOhm @ 200A,10V0.6 毫欧 @ 50A,10V0.65 毫欧 @ 50A,10V0.66 毫欧 @ 100A,10V0.74 毫欧 @ 125A,10V0.74 毫欧 @ 50A,10V0.79 毫欧 @ 75A,10V0.8 毫欧 @ 50A,10V0.85 毫欧 @ 50A,10V0.9 毫欧 @ 100A,10V0.9 毫欧 @ 30A,10V0.9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 500µA1.3V @ 200µA1.4V @ 1.11mA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.2 V1.2 nC @ 4 V1.23 nC @ 4 V1.5 nC @ 4 V1.5 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4 V
Vgs(最大值)
+6V, -12V+6V,-8V±6V±7V±8V+10V,-20V±10V10V+12V,-6V+12V,-8V±12V+20V,-12V+20V,-16V+20V,-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5.5 pF @ 3 V7 pF @ 3 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 3 V12 pF @ 10 V12.2 pF @ 3 V13.5 pF @ 3 V15.1 pF @ 3 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)150mW(Ta)200mW(Ta)270mW(Ta)320mW(Ta)330mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)600mW(Ta)610mW(Ta),61W(Tc)630mW(Ta),104W(Tc)630mW(Ta),57W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP(8x8)4-TFP(9.2x9.2)5-DFN(8x8)5-SSOP6-TSOP-F6-UDFN(2x2)6-UDFNB(2x2)6-WCSPC(1.5x1.0)6-µDFN(2x2)8-DSOP Advance8-SOP8-SOP Advance(5x5.75)
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线4-SMD,无引线4-VSFN 裸露焊盘5-PowerSFN5-SMD,扁平引线5-TSSOP,SC-70-5,SOT-3536-SMD,扁平引线6-SMD(5 引线),扁引线6-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,WLCSP6-WDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,066结果
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/ 1,066
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
20,487
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.28023
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
4,630,278
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39492
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
66,679
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
3.6 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
3,403
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57107
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.5V,4.5V
93 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
153,558
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
4V,10V
71 毫欧 @ 3A,10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
150,813
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62230
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
1.8V,10V
42 毫欧 @ 5A,10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V,-6V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
89,117
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
1.8V,10V
42 毫欧 @ 5A,10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
19,890
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.55104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
768,622
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
244,104
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V,-20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
32,148
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.29846
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6A(Ta)
4V,10V
36 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
29,318
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81917
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.8V,8V
22.1 毫欧 @ 6A,8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
362,255
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Ta)
1.8V,8V
17.6 毫欧 @ 6A,8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
19,022
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99527
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.5A(Ta)
4.5V,10V
107 毫欧 @ 2A,10V
2.8V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 30 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
77,767
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05261
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.5A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
23,656
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.29846
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
83,626
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43978
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
5,900
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77816
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.5A(Ta)
4V,10V
134 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V,-20V
660 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
33,829
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Tc)
4.5V,10V
11.4mOhm @ 13A,10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW(Ta),61W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
SSM3K361R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
9,726
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
9,094
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00459
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
48A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 15A,4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
13,572
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.09605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
34A(Tc)
6V,10V
19 毫欧 @ 17A,10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW(Ta),57W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
33,096
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.40654
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Tc)
4.5V,10V
11.4 毫欧 @ 8.5A,10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta),34W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
7,523
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.47578
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 200µA
21 nC @ 10 V
±20V
1910 pF @ 30 V
-
830mW(Ta),81W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
102,310
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.59786
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
92A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 46A,10V
2.4V @ 200µA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 20 V
-
960mW(Ta),81W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
显示
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Toshiba Semiconductor and Storage 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。