SiHR080N60E E 系列功率 MOSFET

为了为电信、工业和计算应用提供更高的效率和功率密度，Vishay 在其第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 采用 PowerPAK^® 8 x 8LR 封装。与上一代器件相比，N 沟道 SiHR080N60E 将导通电阻降低了 27%，并将电阻栅极电荷乘积降低了 60%，同时在比 D²PAK 封装的器件更小的占用空间内提供更大的电流。电阻栅极电荷乘积是电源转换应用中 600 V MOSFET 的关键品质因数 (FOM)。SiHR080N60E 的顶部冷却 PowerPAK 8 x 8LR 封装尺寸为 10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，比 D² PAK 占位面积小 50.8%，同时高度降低 66%。

由于采用顶部冷却，该封装具有出色的热性能，并且结至外壳热阻极低，为+0.25°C/W。这允许比 D 高 46% 的电流² PAK 具有相同的导通电阻水平，可显著提高功率密度。此外，SiHR080N60E 业界最低的 3.1 Ω*nC 导通电阻栅极电荷乘积 FOM 可降低传导和开关损耗，从而节省能源并提高 2 kW 以上电源系统的效率。

MOSFET 的典型有效输出电容 C_o(er) 和 C_o(tr) 分别为 79 pF 和 499 pF，可提高硬开关拓扑（例如功率因数校正 (PFC)、半桥和双开关正向设计）的开关性能。Vishay 广泛提供一系列 MOSFET 技术，支持电源转换过程所级，从高压输入到为高科技设备供电所需的低压输出。凭借 SiHR080N60E 和第四代 600 V E 系列的其他设备，该公司正在解决电源系统架构前两级（PFC 和后续 DC/DC 转换器块）的效率和功率密度改进需求。