第四代 E/EF 系列 MOSFET

            第四代 E/EF 系列 MOSFET
  
                    Vishay 的 MOSFET 具有较低的开关和传导损耗

Vishay Siliconix 第四代 600 VE/EF 系列 MOSFET 图片 Vishay 采用 PowerPAK 封装技术的第 4 代 600 V 和 650 V 超级结 MOSFET 可将 Q_rr 值降低 10 倍以避免桥技术中的硬换向。它们还提供较低充电/放电时间 C_o(ter)，以实现优化的 ZVS 工作。低 R_DS(ON) x Qg FOM 帮助工程师提高功率密度和系统效率。

特性

第四代 E/EF 系列技术
低 FOM R_ON x Q_g
低有效电容 (Co_o(er))

降低了开关和传导损耗
额定雪崩能量 (UIS)
开尔文连接可降低栅极噪声

应用

服务器和电信电源
开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正 (PFC) 电源
照明
高强度放电 (HID)
荧光灯镇流器

工业
焊接
电感加热
电机驱动
电池充电器
太阳能（PV 逆变器）

Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs

制造商零件编号	描述	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	可供货数量	价格	查看详情
SIHH085N60EF-T1GE3	EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST	30A（Tc）	85 毫欧 @ 17A，10V	5665 - 立即发货	$67.15	查看详情
SIHH080N60E-T1-GE3	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8	32A（Tc）	80 毫欧 @ 17A，10V	6081 - 立即发货	$48.27	查看详情
SIHH068N60E-T1-GE3	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8	34A（Tc）	68 毫欧 @ 15A，10V	327 - 立即发货	$74.23	查看详情
SIHH070N60EF-T1GE3	MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8	36A（Tc）	71毫欧 @ 15A，10V	3000 - 立即发货	$72.12	查看详情
SIHR080N60E-T1-GE3	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8	51A（Tc）	84 毫欧 @ 17A，10V	1990 - 立即发货	$61.62	查看详情