Vishay General Semiconductor - Diodes Division

eSMP® MicroSMP DO-219AD

Vishay 的高功率密度封装适用于整流器和瞬态电压抑制器 (TVS)

Vishay Semiconductor/Diodes Division 的 eSMP® MicroSMP DO-219AD 图片 Schottky MicroSMP 整流器来自 Vishay，采用 0.65 mm x 2.5 mm x 1.3 mm 扁平封装，设计用于为 AC/DC 和 DC/AC 提供二次整流和续流二极管功能，为微型电源转换器以及数码相机、MP3 播放器、导航系统、GPS 和手机等便携式电子设备提供惯性和极性保护，为汽车和工业系统的电源线路和信号线路提供极性保护。

MicroSMP TVS 器件针对汽车和工业应用中的微处理器和信号处理 IC 的电源和信号线路保护、非敏感型输入电压电路的高功率稳压进行了优化。这些器件将 ESD 瞬态保护功能和出色的浪涌箝位能力整合在一起，对所有采用类似封装的前代 TVS 器件进行了性能改进。

这六个肖特基整流器具有较低正向压降，在 110°C 引线温度下电流可达 1 A，且两个电压抑制器在 10/1000 µs 波形下的峰值脉冲功率为 100 W。所有这些器件在 8.3 ms 脉冲下具有 25 A 高正向浪涌电流能力。肖特基整流器具有 30°C/W 的较低结至引线热阻，且 TVS 器件的结至引线热阻为 20°C/W，因此提升了可靠性并延长了运行寿命。

该器件的单片式表面贴装 MicroSMP 封装采用可兼容其它 SMD 器件的焊盘，因此当用作现有器件的更高性能升级器件时无需改变 PCB 布局。

特性
  • 高功率密度整流器和 TVS 采用节省空间的封装，其基底面为 2.5 mm x 1.3 mm，高为 0.65 mm
  • 整流器具有高达 1 A 的正向电流，TVS 具有 150 W（10/1000 µs 波形）钳位功率能力
  • 整流器具有最高可达 175°C 的工作结温
  • 所有这些器件在 8.3 ms 脉冲下具有 25 A 的高整流器正向浪涌电流能力
  • 提升了可靠性并延长了运行寿命
  • 将 ESD 瞬态保护功能和出色的浪涌箝位能力整合在一起，对所有采用类似封装的前代 TVS 器件进行了性能改进。
应用
  • 微型 AC/DC 和 DC/DC 转换器的二次整流和续流二极管功能
  • 为微型电源转换器以及数码相机、MP3 播放器、导航系统、GPS 和手机等便携式电子设备提供续流和极性保护
  • 工业系统的电源和信号线路极性保护
  • 微处理器、信号处理 IC 和逻辑电路的电源和信号线路保护
  • 汽车和工业电子设备中非敏感型输入电压电路的高功率稳压

eSMP® MicroSMP DO-219AD

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