用于 SiC/IGBT 的 UCC21750 单通道隔离式栅极驱动器

Texas Instruments UCC21750 电流隔离单通道栅极驱动器设计用于高达 2,121 V_DC 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、一流的动态性能和鲁棒性的工作电压。UCC21750 具有高达 ±10 A 的峰值源电流和灌电流。输入侧与输出侧用 SiO₂ 电容隔离技术隔离，支持高达 1.5 kV_RMS 工作电压、12.8 kV_PK 浪涌抗扰能力，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的部件间偏斜和大于 150 V/ns 的共模噪声抑制 (CMTI)。

UCC21750 具有先进的保护功能，例如快速的过流和短路检测、并联电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO，以优化 SiC 和 IGBT 的开关性能和鲁棒性。隔离的模拟至 PWM 传感器可用于更轻松地进行温度和电压感测，从而增加驱动器的通用性并简化系统设计工作、尺寸和成本。