ISO5852S IGBT 栅极驱动器

Texas Instruments 的 ISO5852S 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV_RMS 增强型隔离式栅极驱动器，具有 OUTH 和 OUTL 分离输出，可提供 2.5 A 拉电流和 5 A 灌电流。 输入侧采用 2.25 V 至 5.5 V 单电源工作， 输出侧允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补型 CMOS 输入用于控制栅极驱动器的输出状态。 76ns 的短传播时间保证了对输出级的精确控制。

内部去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 是否处于过流状态。 检测到 DESAT 时，“静音”逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚，并会在 2 μs 内将 OUTL 引脚拉至低电平。 当 OUTL 引脚达到 2 V 时（相对于最大负电源电势 V_EE2），栅极驱动器的输出会被硬拉至 V_EE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。

去饱和功能激活时，会通过隔离栅发送故障信号，以将 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器输入。 静音逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存，仅在 RDY 变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常工作期间关断 IGBT，输电压会硬箝位为 V_EE2。 输出电源为单极时，可采用有源米勒箝位，使米勒电流灌入一条低阻抗路径，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监控输入侧和输出侧的电源。 如果任一侧电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。

ISO5852S 采用 16 引脚 SOIC 封装。 额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。