UCC21755-Q1 汽车单通道栅极驱动器

Texas Instruments 的增强型隔离驱动器具有主动保护、隔离模拟感测和高 CMTI 特性

Texas Instruments 的 UCC21755-Q1 汽车单通道栅极驱动器图片Texas Instruments 的 UCC21755-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,专为 SiC MOSFET 和 IGBT 设计,工作电压高达 2,121 VDC,具有高级保护功能、一流的动态性能和高稳健性。该驱动器具有高达 ±10 A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧与输出侧的隔离使用了 SiO2 电容隔离技术,支持高达 1.5 kVRMS 的工作电压、12.8 kVPK 的浪涌抗扰度和超过 40 年的隔离栅寿命,并提供低部件间时序偏差和大于 150 V/ns 的共模噪声抑制 (CMTI)。

UCC21755-Q1 具有先进的保护功能,例如快速的过流和短路检测、并联电流检测支持、故障报告、有源米勒箝位,以及输入和输出侧电源 UVLO,以优化 SiC 和 IGBT 的开关性能和稳健性。隔离的模拟至 PWM 传感器可用于更轻松地进行温度和电压感测,从而增加驱动器的通用性,简化系统设计工作,减小尺寸和降低成本。

特性
  • 5.7 kVRMS 单通道隔离栅极驱动器
  • 获得 AEC-Q100 认证,结果如下:
    • 0 级环境工作温度范围:-40°C 至 +150°C
    • 设备 HBM ESD 分类级别 3A 和设备 CDM ESD 分类级别 C6
  • 功能安全性质量管理:可提供有助于功能安全系统设计的说明文档
  • 高达 2,121 VPK 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 输出驱动电压 (VDD-VEE):33 V(最大值)
  • 驱动强度和分离输出:±10 A
  • CMTI:150 V/ns(最小值)
  • 响应时间快速 DESAT 保护:200 ns、5 V 阈值
  • 内部有源米勒箝位:4 A
  • 发生故障时软关断:400 mA
  • 带 PWM 输出的隔离式模拟传感器,用于:
    • 使用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感测
    • 高压 DC-link 或相电压
  • 过流报警 FLT 并从 RST/EN 复位
  • 在 RST/EN 上快速启用/禁用响应
  • 在输入引脚上抑制小于 40 ns 的噪声瞬变和脉冲
  • 带有 RDY 电源好状态的 12V VDD UVLO
  • 具有过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出:高达 5 V
  • 传播延迟:130(最大值)和 30 ns(最大值)脉冲/部件时序偏差
  • 封装:SOIC-16 DW,具有爬电距离和大于 8 mm 的间隙距离
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
应用
  • 电动汽车牵引逆变器
  • 车载充电器和充电桩
  • HEV/EV 用 DC/DC 转换器

UCC21755-Q1 Automotive Single-Channel Gate Driver

图片制造商零件编号描述技术通道数电压 - 隔离可供货数量价格查看详情
DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOICUCC21755QDWRQ1DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC容性耦合15700Vrms992 - 立即发货$55.03查看详情

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发布日期: 2023-04-13