RClamp3354S.TCT TVS 二极管

用于敏感元器件的 Semtech 低压 RailClamp® 浪涌保护

Semtech 的 RClamp3354S.TCT RailClamp® TVS 二极管图片Semtech 的 RClamp3354S.TCT RailClamp® TVS 二极管可保护连接到高速数据和传输线的敏感元件免受电快速瞬变 (EFT)、电缆放电事件 (CDE) 和静电放电 (ESD) 引起的过压危害。

该二极管在单一封装中结合了抗浪涌、低电容控向二极管和一个 TVS 二极管。每个器件可保护多达四个高速线路。RClamp3354S.TCT 可承受高电平浪涌电流 (25 A, 8 /20μs),同时保持低于 5 pF 的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和 LVDS 接口等应用。

该 TVS 二极管采用 Semtech 专有的 EPD 工艺技术制造。EPD 工艺与硅雪崩二极管工艺相比,能提供低断态电压并显著减少漏泄电流和电容。该器件具有 3.3 V 低工作电压。

特性
  • 最多可保护四条 I/O 线
  • 用于高速接口的低电容:<5 pF
  • 低动态电阻:0.25 Ω
  • 低工作电压:3.3 V
  • 固态硅雪崩技术
  • 高速数据线路的瞬变保护:
    • IEC-61000-4-2 ESD 30 kV(空气)、30 kV(接触)
    • IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
    • IEC 61000-4-5(闪电)20 A (8/20 μs)
  • 浪涌抑制二极管阵列,带内部 TVS 二极管
应用
  • 10/100/1000 以太网
  • 中心局设备
  • LVDS 接口
  • MagJacks 和集成磁性元件
  • 笔记本、台式机和服务器

RClamp3354S.TCT RailClamp® TVS Diode

图片制造商零件编号描述电压 - 反向断态(典型值)电压 - 击穿(最小值)不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)可供货数量价格查看详情
TVS DIODE 3.3VWM 16VC SOT23-5RCLAMP3354S.TCTTVS DIODE 3.3VWM 16VC SOT23-53.3V(最大)3.5V16V44675 - 立即发货$14.00查看详情
发布日期: 2018-10-05