RGA80TxX2EHRC 高性能 IGBT 解决方案

ROHM Semiconductor 先进的 IGBT 模块专为汽车和工业应用而设计

ROHM Semiconductor RGA80TxX2EHRC 高性能 IGBT 解决方案图片ROHM Semiconductor 的 RGA80TRX2EHRC15、RGA80TRX2HRC15、RGA80TSX2EHRC11 和 RGA80TSX2HRC11 是高性能绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。这些 IGBT 旨在为要求严格的汽车和工业应用提供卓越的效率和可靠性。这些 IGBT 的额定电压为 1,200 V,电流容量为 69 A,采用场截止沟槽技术,可确保低开关和传导损耗。内置的快速恢复二极管 (FRD) 通过缩短恢复时间来提高性能,使这些 IGBT 成为需要高速开关的应用的理想选择。这些 IGBT 的短路耐受时间为 10 μs,符合 AEC-Q101 标准,具有强大的性能和耐用性。其紧凑的 TO-247 封装设计易于集成到各种系统中,确保最佳的热管理和空间效率。

特性
  • 1200 V 额定电压
  • +100°C 时电流容量为 69 A
  • 场截止沟槽技术
  • 低开关损耗
  • 低传导损耗
  • 内置 FRD
  • 短路耐受性:10 μs
  • TO-247 封装
  • 通过 AEC-Q101 标准鉴定
  • 低集电极发射极饱和电压
  • 高速切换能力
  • 无铅引线电镀
  • 符合 RoHS 规范
  • 热效率高
  • 紧凑设计
应用
  • 压缩机
  • 高压加热器
  • 汽车逆变器
  • 工业逆变器
  • 电机驱动
  • 电源
  • 可再生能源系统
  • 电动汽车充电站
  • 暖通空调系统
  • 机器人技术
  • 不间断电源 (UPS)
  • 焊接设备
  • 电池管理系统
  • 电力牵引逆变器
  • 智能电网应用

RGA80TxX2EHRC High-Performance IGBT Solutions

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发布日期: 2024-11-19