RA1C030LDT5CL MOSFET

ROHM 的 RA1C030LD 采用 DSN1006-3 晶圆级芯片尺寸封装 (1.0 mm x 0.6 mm)，利用 ROHM 的专有 IC 工艺实现低功耗和更小型化。就表示导通损耗与开关损耗关系的品质因数（导通电阻 × Q_gd）而言，它实现了在相同封装（1.0 mm x 0.6 mm 或更小）中比标准封装产品低 20% 的行业领先的值，有助于在各种紧凑型设备中显著缩小电路板面积并提高效率。同时，ROHM 独特的封装结构为侧壁提供了绝缘保护（不同于同封装、没有保护的标准产品）。这降低了由于空间限制而必须采用高密度安装的紧凑型设备中组件之间的接触导致短路的风险，有助于更安全地运行。