7 针 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 扩展了其独立碳化硅 (SiC) MOSFET 产品组合，现可提供 TO-263-7L SMD 封装的器件。下图显示了 TO-263-7L 封装下与 SiC MOSFET 源极端子开尔文连接的好处。主源电感 (L_S) 不再由栅极驱动环路和主电流路径共享。因此可以更快开关设备，从而减少了开关损耗。

TO-263-7L SMD 封装及其寄生电感

导通时，三引线器件的开关速度受到限制，因为源极端子两端的感性电压降会降低有效栅极电压，从而导致较长的 di/dt 过渡时间和明显的导通损耗。对于开尔文源极连接到栅极驱动器的 SMD 封装器件，此时间段更短，因此可以降低导通损耗。同样，由于 TO263-7L 封装的寄生电感效应减小，因此在关断瞬态中可以获得更高的 di/dt 速度，从而使关断损耗低于 TO-247 封装。

尽管 SiC MOSFET 可以实现非常高的开关速度，从而大大降低功率电子转换器中的能量损耗，但由于传统功率半导体封装的局限性，并不总是能利用器件的全部潜力。ROHM 这个更新的封装旨在消除该限制。