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7 针 SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 的 7 针 SiC MOSFET 可以更快开关，从而降低了开关损耗
ROHM Semiconductor 扩展了其独立碳化硅 (SiC) MOSFET 产品组合，现可提供 TO-263-7L SMD 封装的器件。下图显示了 TO-263-7L 封装下与 SiC MOSFET 源极端子开尔文连接的好处。主源电感 (LS) 不再由栅极驱动环路和主电流路径共享。因此可以更快开关设备，从而减少了开关损耗。
TO-263-7L SMD 封装及其寄生电感
导通时，三引线器件的开关速度受到限制，因为源极端子两端的感性电压降会降低有效栅极电压，从而导致较长的 di/dt 过渡时间和明显的导通损耗。对于开尔文源极连接到栅极驱动器的 SMD 封装器件，此时间段更短，因此可以降低导通损耗。同样，由于 TO263-7L 封装的寄生电感效应减小，因此在关断瞬态中可以获得更高的 di/dt 速度，从而使关断损耗低于 TO-247 封装。
尽管 SiC MOSFET 可以实现非常高的开关速度，从而大大降低功率电子转换器中的能量损耗，但由于传统功率半导体封装的局限性，并不总是能利用器件的全部潜力。ROHM 这个更新的封装旨在消除该限制。
特性
- 开关速度快
- 驱动简单
- 引线无铅电镀，符合 RoHS 规范
- 导通电阻小
- 快速反向恢复
应用
- DC/DC 转换器
- 开关模式电源
- 电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 电感加热
7-Pin SiC MOSFETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT3105KW7TL | SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7 | 23A（Tc） | 137 毫欧 @ 7.6A，18V | 5.6V @ 3.81mA | 1905 - 立即发货 | $134.72 | 查看详情 |
| | SCT3120AW7TL | SICFET N-CH 650V 21A TO263-7 | 21A（Tc） | 156 毫欧 @ 6.7A，18V | 5.6V @ 3.33mA | 788 - 立即发货 | $102.89 | 查看详情 |
| | SCT3160KW7TL | SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7 | 17A（Tc） | 208 毫欧 @ 5A，18V | 5.6V @ 2.5mA | 3882 - 立即发货 | $104.60 | 查看详情 |
| | SCT3080KW7TL | SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 | 30A（Tc） | 104 毫欧 @ 10A，18V | 5.6V @ 5mA | 785 - 立即发货 | $163.13 | 查看详情 |
| | SCT3060AW7TL | SICFET N-CH 650V 38A TO263-7 | 38A（Tc） | 78 毫欧 @ 13A，18V | 5.6V @ 6.67mA | 1175 - 立即发货 | $156.62 | 查看详情 |
| | SCT3080AW7TL | SICFET N-CH 650V 29A TO263-7 | 29A（Tc） | 104 毫欧 @ 10A，18V | 5.6V @ 5mA | 908 - 立即发货 | $127.23 | 查看详情 |
| | SCT3040KW7TL | SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7 | 56A（Tc） | 52 毫欧 @ 20A，18V | 5.6V @ 10mA | 986 - 立即发货 | $313.39 | 查看详情 |
| | SCT3030AW7TL | SICFET N-CH 650V 70A TO263-7 | 70A（Tc） | 39 毫欧 @ 27A，18V | 5.6V @ 13.3mA | 432 - 立即发货 | $299.80 | 查看详情 |
发布日期： 2021-04-02
