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NTBG070N120M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET

onsemi 的 NTBG070N120M3S 是应用了 M3S 技术的 EliteSiC、65 mΩ、1200 V SiC MOSFET，采用 D2PAK-7L 封装

onsemi 的 NTBG070N120M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET 图片onsemi NTBG070N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET 针对快速开关应用进行了优化。得益于平面技术，它们可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。NTBG070N120M3S MOSFET 在 18 V 时达到峰值性能，但在 15 V 时仍保持敏捷。

特性
  • 具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
  • 优秀的 FOM (= RDS(ON) * EOSS)
  • 超低栅极电荷 (QG(tot) = 57 nC)
  • 低电容高速开关 (COSS = 57 pF)
  • 15 V 至 18 V 栅极驱动
  • M3S 技术：65 mΩ RDS(ON)，低 Eon 和 Eoff 损耗
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无卤素且符合 RoHS 规范
应用
  • 工业

NTBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - ENTBG070N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - EN 通道SiCFET（碳化硅）1200 V1385 - 立即发货
8800 - 厂方库存		$54.54查看详情
发布日期： 2024-03-05