Trench 9 40 V MOSFET

Nexperia 系列 Trench 9 功率 MOSFET 主要针对汽车行业，结合了该公司的低电压超级结技术和其先进的封装能力，可实现高性能和坚固性。Nexperia 扩大了其汽车级 Power-SO8 MOSFET 产品组合，现包括超低 R_DS(ON) 零件，可满足许多典型汽车应用中对更高功率密度的不断增长的需求。Trench 9 器件均符合 AEC-Q101 规格，且超越了这一国际汽车级标准的要求，在包括温度循环、耐高温栅极偏置、耐高温反向偏置和断续工作寿命等主要的可靠性测试方面达到了两倍的指标值。

FPAK56E 是 Nexperia 汽车 LFPAK 封装系列最新的创新之作。LFPAK56E 是增强型的版本，采用广受欢迎的 LFPAK56 封装，具有优化的引线框架和封装设计，实现了更高 R_DS(ON) 和高达 30% 的功率密度提升。这种高功率密度让 Trench 9 LFPAK56 MOSFET 可用于以前仅能借助 D²PAK 和 D²PAK-7 实现的应用，能显著节省 PCB 的空间。

Nexperia 的超级结技术比同类竞争产品的技术实现了更高的雪崩和安全工作区 (SOA) 能力，确保故障条件下关键器件的安全。传统上，大多数供应商不建议将 TrenchMOS 技术用于单触发或重复性雪崩的应用。Trench 9 专为提供出色的单触发和重复性雪崩性能，适用于各种要求苛刻的应用和故障条件，Nexperia 的 Trench 9 MOSFET 规格书包括单触发和重复性雪崩额定值。