Infineon 为变速驱动器设计了 TRENCHSTOP™ IGBT7，以促进从矿物燃料发电向绿色发电的转换。通过将允许的最大芯片工作温度提高到 +175°C，实现静态损耗降低、功率密度提升和切换软化，从而大幅提升功率密度。
每个开关都需要一个驱动程序，有合适的驱动程序会大不一样。Infineon 随 TRENCHSTOP IGBT7 还提供 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC，包括低侧驱动器、电平移位驱动器和隔离驱动器。EiceDRIVER 系列提供了广泛的输出电流选项（从 0.1 A 到 14 A）以及不同的保护功能，如 DESAT、米勒钳位、OCP、停机、集成阴极负载二极管和隔离。
特性
过载能力：
- TRENCHSTOP IGBT7 允许在 TVJOP =+175°C 的温度下过载运行。这符合仅短期需要大电流和高温的驱动器应用中的典型要求
低导通电压：
- 与 IGBT4 相比，TRENCHSTOP IGBT7 的导通电压降低了约 20%。这大大降低了目标应用的损耗，特别是通常以中等开关频率运行的工业驱动器的损耗，这对于提高功率密度和使用寿命至关重要
增强可控性：
- TRENCHSTOP IGBT7 提供了高水平可控制性，以匹配电动机绝缘要求或 EMI 限制，防止最终导致线圈绝缘损坏的任何电弧放电。可控制性对应的是器件通过调节栅极电阻 (RG) 的值来改变 dV/dt 的能力，从而可简化设计导入阶段。
二极管改进：
- 相对于上一代 EC4，EC7 发射极控制的二极管将正向电压降低了 100 mV。这也降低了反向恢复损耗并提高了柔软度，从而有利于逆变器的 EMI 表现。
功率增加：
- 与前一代 IGBT 相比，在相同的框架尺寸下，同类最佳的 EconoDUAL™ 3 模块可提供高出 50% 的输出电流。较高的功率密度有助于避免需要并联 IGBT 模块的情形，从而简化了逆变器设计并降低了成本
框架尺寸的飞跃：
- Easy 1B 和 2B 与上一代 IGBT4 引脚兼容，可以即插即用替换。用 IGBT7 解决方案替换 TRENCHSTOP IGBT4 后，在相同的外壳和相同的系统冷却下，输出电流要高出 30%。对于相同的输出电流，后者可以减少 40% 的体积，或者第三种选择是通过使用较小的外壳并结合 11% 的输出功率增幅来实现机架尺寸的飞跃
低损耗
- 在给定的 dV/dt 限值下的传导损耗显著降低。此外，二极管损耗也减少了，从而使总体功率损耗降低了 15%
优化驱动：
- CGE 和 CGC 平衡，让 IGBT7 完全控制 d/dt，并优化开关波形。CGE 的设计避免了寄生导通效应，可以采用零电压关断电源（单极栅极驱动器电源）
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Infineon 为变速驱动器设计了 TRENCHSTOP™ IGBT7，以促进从矿物燃料发电向绿色发电的转换。通过将允许的最大芯片工作温度提高到 +175°C，实现静态损耗降低、功率密度提升和切换软化，从而大幅提升功率密度。
