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市场产品
出色的性能
实现最高效率：Infineon 的 CoolGaN™ HEMT 和 EiceDRIVER™ 栅极驱动器
Infineon 氮化镓技术 CoolGaN™ 具有无与伦比的质量，并得到 Infineon 内部制造的支持以确保供应稳定性。CoolGaN™ 产品提供市场上最高的效率和功率密度，因此成为需要卓越性能的应用的理想选择。凭借丰富的经验和应用专业知识，Infineon 提供从分立系统解决方案到高度集成系统解决方案的整个领域的创新产品解决方案。
为什么选择 Infineon 的氮化镓？
完整的技术产品：
硅 + 碳化硅 + 氮化镓
最高质量标准：
业界最可靠的氮化镓 HEMT
供应稳定性：
内部制造
应用范围：
工业、消费品和汽车
知识产权领导力：
650 多项氮化镓相关专利
系统专业知识：
开关 + 驱动器 + 控制 IC
目标应用：
- 充电器/适配器
- 照明
- 服务器
- 电信
- 电视/显示器
- 太阳能
- 电机驱动
选择适合您的选择 – 分立或 IPS
查看图表，了解您的设计需要灵活的分立解决方案还是高度集成的系统。CoolGaN™ 产品可提供满足您要求的正确产品。
- 分立
- 集成式
- 设计支持
分立解决方案：CoolGaN™ 600V GIT e-mode HEMT + EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC
Infineon 的 CoolGaN™ GIT HEMT 是一种高效的 GaN（氮化镓）晶体管技术，用于在高达 600V 的电压范围内进行功率转换。Infineon 通过端到端的大批量生产使 e-mode 概念走向成熟。开创性的质量确保了最高标准，并提供了市场上所有氮化镓 HEMT 中最可靠和性能最好的解决方案。
主要特性
- 高性能
- 顶部和底部冷却 SMD 封装
- 最高能效和功率密度
- 应用中的最佳热性能
主要优点
- 独特的常断概念解决方案
- 软和硬开关的出色之选
- 开启和关闭优化
- 零反向恢复 Qrr
- 防止 RDS(on) 漂移
- 出色的稳定性
- 最佳品质因数
- 经验证使用寿命更长
产品供应：
| 封装 RDS(ON) | DSO-20-85 底部冷却 |
DSO-20-87 顶部冷却 |
HSOF-8-3 TO-无引线 |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
栅极驱动解决方案：
Infineon CoolGaN™ GIT e-mode HEMT 易于驱动。下载此白皮书探索各种驱动解决方案，包括标准 RC 耦合驱动器和利用专用栅极驱动器 IC 的新差分驱动概念等。在半桥拓扑中，结合隔离式和非隔离式驱动器的混合配置可能是一种令人兴奋的替代方案。除本文外，还有一些实际应用示例和电路原理图。
适用于 CoolGaN™ GIT e-mode HEMT 的标准栅极驱动器
| EiceDRIVER™ 系列 |
零件编号 | 输出通道 | 技术和隔离等级 | 用例 | 封装 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 通道 | 隔离式 | 功能性 | 驱动两个氮化镓（半桥、对角、并联） | DSO-16 150mil |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | 加强型 | DSO-16 300 mil | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14 300mil | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | 单一保护 | DSO-14 150mil | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 单通道 | 隔离式 | 单一保护 | 驱动高压侧氮化镓 | DSO-8 150 mil |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 单通道 | 真差分输入 (TDI) | 非隔离 | 驱动低压侧开尔文源氮化镓 | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6 引脚 | |||||
适用于 CoolGaN™ GIT e-mode HEMT 的专用栅极驱动器 IC
集成式氮化镓：CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 半桥和单开关
Infineon 的 CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 将混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 结构的稳健性与 Infineon 的精确集成 EiceDRIVER™ 栅极驱动器技术相结合。这带来更小的物理占地面积、更高的功率密度和能源效率，使其成为硅半导体的绝佳替代品。Infineon 的 CoolGaN™ IPS 还具有更快的开关频率和更高的设计灵活性等额外优势。对于工程师来说，这意味着更节能的系统、简化的实施以及更高的 PCB 空间利用率。
主要特性
- 数字输入、电源输出构建块
- 应用可配置的开关行为
- 高度准确和稳定的计时
- 耐热增强型 8 x 8 mm QFN-28/21 封装
主要优点
- 易于使用数字 PWM 输入驱动
- 低系统 BOM
- PCB 上具有低电感环路的栅极路径可配置性
- 短死区时间设置可最大限度地提高系统效率
- 用于紧凑系统设计的小封装
在线培训： CoolGaN™ IPS 对高密度充电器和适配器的优势
CoolGaN™ IPS 提供半桥功率级配置（140mΩ - 500 mΩ 规格）或单通道配置（100mΩ - 270 mΩ 规格），并采用耐热增强型 QFN (8x8mm) 封装，配有专用栅极驱动器。
产品供应：
| 封装 RDS(ON) | CoolGaN™ 半桥 | CoolGaN™ IPS 单开关 |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
设计支持
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
采用 EiceDRIVER™ GaN 的高频半桥评估板。
EVAL_HB_GANIPS_G1
采用 IGI60F1414A1L 的高频 CoolGaN™ IPS 半桥 600V 评估板。
EVAL_HB_PARALLELGAN
评估用于更高功率应用的半桥配置中 CoolGaN™ 600 V HEMT 的并联。
