CoolSiC™ G2 1200 V 碳化硅 MOSFET 分立器件

Infineon 碳化硅 (SiC) CoolSiC MOSFET 采用最先进的沟槽式半导体工艺制造，该工艺经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。这种分立式 CoolSiC MOSFET 产品组合包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级，导通电阻额定值从 7 mΩ 至 1000 mΩ 不等。CoolSiC 沟槽技术可实现灵活的参数组合，可在各自的产品组合中实现满足应用特定要求的特性，例如栅源电压、雪崩规格、短路能力或用于硬式整流的内部体二极管。

CoolSiC G2 产品组合中增加了 TO-247-4 引脚封装中的器件，该器件具有更大的爬电距离、细信号引线和开尔文引脚以防止焊料桥连，并且优化了热界面材料 (TIM) 区域以实现出色的热性能。 标准 TO-247-4 封装可与市场上的大多数产品实现引脚兼容。 其他 CoolSiC 1200 V 第二代器件采用 D²PAK-7L (TO-263-7) 封装。

CoolSiC G2 产品组合以第一代技术的优势为基础，显著提高了硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数，适用于所有常见的 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 级组合。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 参考设计由两块 PCB 组成，包括一个驱动电路和一个用于伺服电机和驱动器的三相逆变器。其优点包括高功率密度、无需冷却风扇的被动冷却，以及 PCB 直径仅为 110 mm 的超小占用空间。