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EPC2057 50 V、8.5 mΩ GaN FET

EPC 的晶体管具有 8.5 mΩ 超低导通电阻，可显著降低功率损耗并提高整体效率

EPC 的 EPC2057 50 V、8.5 mΩ GaN FET 图片EPC 的 EPC2057 50 V、66 A 脉冲电流 GaN 场效应晶体管 (FET) 专为满足高功率 USB-C® 设备不断变化的需求而设计，包括用于消费电子产品、车载充电和电动汽车的设备。该晶体管具有 8.5 mΩ 的超低导通电阻，可显著降低功率损耗并提高整体效率。其微小的尺寸使其成为空间受限应用的理想选择，并可实现更小、更高效的电源适配器和充电器。

特性
  • 高效率
    • 具有超低 8.5 mΩ 导通电阻，可显著降低功率损耗并提高整体效率
  • 紧凑设计
    • 其尺寸小巧，非常适合空间受限的应用，可使用更小、更高效的电源适配器和充电器
  • 快速开关
    • GaN 技术可实现更快的开关速度、提高功率密度并减小无源元件的尺寸，从而实现更紧凑、更轻巧的设计
  • ID：9.6 A
  • VDS：50 V
  • RDS(ON)：最大 8.5 mΩ
应用
  • 直流/直流转换器
  • 数据中心
  • 人工智能服务器
  • USB-C 电池充电器
  • LED 照明
  • 12 V 至 24 V 输入电机驱动器

EPC2057 50 V, 8.5 mΩ GaN FET

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TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGAEPC2057TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA8836 - 立即发货$18.77查看详情

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发布日期： 2024-07-01