SA110 碳化硅半 H 桥模块

Apex Microtechnology 的 SA110 大电流高压半 H 桥开关模块采用集成栅极驱动的碳化硅 (SiC) MOSFET。SA110 具有集成的栅极驱动控制，最高 400 kHz 的开关频率，且 A 级型号具有 28 A 连续输出电流。

基于 SiC 工艺的高性能、可靠的宽带隙 (WBG) 功率器件的可用性为更高功率放大器设计可能性和产品的世界带来革命性的变化。SiC MOSFET 提供更低的导通电阻、温度和电流水平、更好的电流与电压性能以及更低的开关损耗。

该混合器件采用 12 引脚 PSIP 封装，具有紧凑的占位面积和保护功能。通过集成栅极驱动器，可以大大提高开关速度，因为寄生冲击减少并且更易于控制。SA110 非常适合以过温性能、高效率和紧凑设计为重点的应用。