网络研讨会 – 用于电源系统的高电压 GaN HEMT (EcoGaN™)

GaN（氮化镓）HEMT 能够让设计人员在下一代功率处理器件开发中实现重大突破。像 GaN 这样的非硅基化合物半导体可以让器件实现更高的效率、可靠性、频率和功率以及更低的功耗。Rohm Semiconductor 的 GaN HEMT 或 EcoGaN 系列大功率 GaNFET 通过使用 GaN 实现了更高的开关特性和更低的导通电阻。

Rohm Semiconductor 美国技术产品营销经理 Kengo Ohmori 将主持一场在线研讨会，讨论 GaN 对紧凑型低功耗器件以及优化了 GaN 技术的 IC 的影响。同时 Ohmori 还会就基于 GaN 的电源系统的未来以及其他宝贵见解和主题进行分享。

此次一小时的在线网络研讨会于美国中部夏令时间 2024 年 10 月 03 日星期四上午 11 点举行。如果您不能参加直播会议，也务请注册，以便我们在会议结束后给您发送录播链接。

注册网址：https://event.on24.com/wcc/r/4711337/5C98B5EC96858152A6D25439BCC44AA6?partnerref=blog