ROHM Semiconductor

650 V GaN HEMT

ROHM 的 HEMT 提高了包括服务器和 AC 适配器在内的各种电源系统的效率和小型化

ROHM 的 650 V GaN HEMT 图片ROHM GNP1070TC-Z 和 GNP1150TCA-Z 650 V 氮化镓 (GaN) HEMT 针对各种电源系统应用进行了优化。这些产品是与开发 GaN 器件的 Delta Electronics, Inc. 的子公司 Ancora Semiconductors, Inc. 共同开发的。

提高占世界大部分电力消耗的电源和电机的效率已成为实现脱碳社会的重大障碍。采用 GaN 和 SiC 等新材料是提高电源效率的关键。

在 2023 年 3 月开始批量生产 2022 年栅极击穿电压为 8 V 的 150 V GaN HEMT 之后，ROHM 开发了控制 IC 技术以最大限度地提高 GaN 性能。这一次，ROHM 推出具有市场领先性能的 650 V GaN HEMT，有助于在更广泛的电源系统中实现更高的效率和更小的尺寸。

650 V GaN HEMTs

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MODGNP1070TC-ZE2ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MODN 通道GaNFET（氮化镓）650 V747 - 立即发货
1 : ¥85.76
剪切带（CT）
3500 : ¥40.19
卷带（TR）
1 : ¥85.76
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ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MOGNP1150TCA-ZE2ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MON 通道GaNFET（氮化镓）650 V2790 - 立即发货
1 : ¥50.36
剪切带（CT）
3500 : ¥21.27
卷带（TR）
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 6UDFNBD2311NVX-LBE2IC GATE DRVR LOW-SIDE 6UDFN-低端单路3528 - 立即发货
1 : ¥47.47
剪切带（CT）
4000 : ¥17.78
卷带（TR）
1 : ¥47.47
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发布日期： 2023-05-22

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