单 FET，MOSFET

结果 : 10
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）17A（Ta），50A（Tc）28A（Ta），120A（Tc）39A（Ta），80A（Tc）41A（Ta），200A（Tc）41A（Ta），310A（Tc）43A（Ta），120A（Tc）44A（Ta），140A（Tc）50A（Ta），268A（Tc）63A（Ta），445A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.25 毫欧 @ 100A，10V1.8 毫欧 @ 20A，10V2.4 毫欧 @ 20A，10V2.5 毫欧 @ 20A，8V2.7 毫欧 @ 20A，10V3 毫欧 @ 20A，10V4.1 毫欧 @ 20A，10V8.8 毫欧 @ 17A，8V12.5 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 250µA3.6V @ 250µA3.8V @ 250µA4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V50 nC @ 10 V54 nC @ 10 V95 nC @ 10 V110 nC @ 10 V145 nC @ 10 V245 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1590 pF @ 50 V1950 pF @ 40 V2860 pF @ 40 V5000 pF @ 40 V5750 pF @ 40 V7680 pF @ 40 V13000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）4.1W（Ta），104W（Tc）6.2W（Ta），113W（Tc）7.5W（Ta），258W（Tc）8.3W（Ta），34W（Tc）8.8W（Ta），500W（Tc）10W（Ta），272W（Tc）10W（Ta），310W（Tc）10W（Ta），500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）8-DFN（5x6）8-SOICTO-220TO-220FTO-263（D2PAK）TOLLA
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD，扁平引线8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3TO-220-3 整包TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
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10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
58,312
现货
1 : ¥24.22000
剪切带（CT）
800 : ¥13.54484
管件
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
44A（Ta），140A（Tc）
8V，10V
2.7 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5750 pF @ 40 V
-
10W（Ta），310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
1,648
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.27616
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
41A（Ta），200A（Tc）
5V，10V
2.5 毫欧 @ 20A，8V
3.8V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5750 pF @ 40 V
-
7.5W（Ta），258W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
1 : ¥54.41000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.50544
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
63A（Ta），445A（Tc）
8V，10V
1.25 毫欧 @ 100A，10V
3.6V @ 250µA
245 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 40 V
-
10W（Ta），500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.59703
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11A（Ta）
4.5V，10V
12.5 毫欧 @ 11A，10V
2.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
0
现货
查看交期
3,000 : ¥4.38809
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17A（Ta），50A（Tc）
8V，10V
8.8 毫欧 @ 17A，8V
4.1V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 40 V
-
4.1W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.82092
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Ta），120A（Tc）
8V，10V
4.1 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
2860 pF @ 40 V
-
6.2W（Ta），113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
1,000 : ¥11.75956
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
43A（Ta），120A（Tc）
8V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5750 pF @ 40 V
-
10W（Ta），310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
0
现货
查看交期
1,000 : ¥11.90307
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
39A（Ta），80A（Tc）
8V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5750 pF @ 40 V
-
8.3W（Ta），34W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
0
现货
查看交期
1 : ¥18.11000
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
41A（Ta），310A（Tc）
8V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 40 V
-
8.8W（Ta），500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
1 : ¥25.67000
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
50A（Ta），268A（Tc）
8V，10V
1.8 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
7680 pF @ 40 V
-
10W（Ta），272W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。