单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V800 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Tc）7A（Tc）40A（Tc）45A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 22.5A，10V180 毫欧 @ 20A，10V950 毫欧 @ 3.5A，10V3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA4.5V @ 150µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.8 nC @ 10 V53 nC @ 10 V781 nC @ 10 V826 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
311 pF @ 25 V1110 pF @ 25 V25000 pF @ 25 V26000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
30W（Tc）45W（Tc）125W（Tc）600W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDPAKISOTOP®TO-220TO-220FP
封装/外壳
ISOTOPTO-220-3TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP9NK60ZD
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 3.5A，10V
4.5V @ 100µA
53 nC @ 10 V
±30V
1110 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
D²PAK
STB9NK60ZDT4
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 3.5A，10V
4.5V @ 100µA
53 nC @ 10 V
±30V
1110 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220FP
STF9NK60ZD
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 3.5A，10V
4.5V @ 100µA
53 nC @ 10 V
±30V
1110 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
ISOTOP
STE40NK90ZD
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
40A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 150µA
826 nC @ 10 V
±30V
25000 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE45NK80ZD
MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
45A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 22.5A，10V
4.5V @ 150µA
781 nC @ 10 V
±30V
26000 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK60ZD
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.4A（Tc）
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。