STB9NK60ZDT4 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 1,000
单价: ¥25.12000
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类似


Vishay Siliconix
现货: 216
单价: ¥27.67000
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Vishay Siliconix
现货: 950
单价: ¥28.57000
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现货: 875
单价: ¥28.57000
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Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: ¥11.33000
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Rohm Semiconductor
现货: 1,000
单价: ¥14.94000
规格书

STB9NK60ZDT4

DigiKey 零件编号
497-4325-2-ND - 卷带(TR)
497-4325-1-ND - 剪切带(CT)
497-4325-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
STB9NK60ZDT4
描述
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 7A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STB9NK60ZDT4 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
950 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
53 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
基本产品编号