单 FET,MOSFET

结果 : 22
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A(Tc)7A(Tc)7.5A(Tc)11A(Tc)13A(Tc)16A(Tc)18A(Tc)20A(Tc)26A(Tc)34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
87 毫欧 @ 17A,10V163 毫欧 @ 10A,10V188 毫欧 @ 9A,10V205 毫欧 @ 8A,10V378 毫欧 @ 5.5A,10V418 毫欧 @ 4.5A,10V595 毫欧 @ 3.75A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA4.75V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.4 nC @ 10 V17 nC @ 10 V22 nC @ 10 V29 nC @ 10 V33 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
390 pF @ 100 V590 pF @ 100 V1090 pF @ 100 V1320 pF @ 100 V2370 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
25W(Tc)30W(Tc)40W(Tc)55W(Tc)85W(Tc)110W(Tc)125W(Tc)150W(Tc)170W(Tc)250W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPowerFlat™(5x6)HVPowerFlat™(8x8)HVTO-220TO-220FPTO-247TO-247-3TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
22结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PowerVDFN
STL15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
2,900
现货
1 : ¥15.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.95551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
418 毫欧 @ 4.5A,10V
4.75V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
TO-220-3
STP25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
STMicroelectronics
1,006
现货
1 : ¥15.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
188 毫欧 @ 9A,10V
4.75V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1090 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
8 Power VDFN
STL25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
STMicroelectronics
2,982
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.69655
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 8A,10V
4.75V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1090 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerFlat™(8x8)HV
8-PowerVDFN
TO-220-F
STF42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
STMicroelectronics
4,921
现货
1 : ¥37.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
87 毫欧 @ 17A,10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
87 毫欧 @ 17A,10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,555
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
378 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-F
STF11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
998
现货
1 : ¥13.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7.5A(Tc)
10V
595 毫欧 @ 3.75A,10V
4.75V @ 250µA
12.4 nC @ 10 V
±25V
390 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-F
STF27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STMicroelectronics
990
现货
1 : ¥15.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
163 毫欧 @ 10A,10V
4.75V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±25V
1320 pF @ 100 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW25N60M2-EP
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
STMicroelectronics
560
现货
1 : ¥25.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
188 毫欧 @ 9A,10V
4.75V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1090 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-F
STF25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
STMicroelectronics
47
现货
1 : ¥22.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
188 毫欧 @ 9A,10V
4.75V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1090 pF @ 100 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STMicroelectronics
334
现货
50 : ¥12.77440
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
378 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
30 : ¥20.02933
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
163 毫欧 @ 10A,10V
4.75V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±25V
1320 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D2Pak
STB42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥49.34000
剪切带(CT)
1,000 : ¥25.52116
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
87 毫欧 @ 17A,10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥58.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
34A(Tc)
10V
87 毫欧 @ 17A,10V
4.75V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±25V
2370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
8PowerVDFN
STL11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
STMicroelectronics
0
现货
3,000 : ¥5.46680
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.5A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
150°C(TJ)
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
TO-220-F
STF20N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1,000 : ¥8.33385
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
-
4.75V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
-
-
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP20N60M2-EP
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
STMicroelectronics
0
现货
在售
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
-
-
-
±25V
-
-
110W(Tc)
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3 Type A
STP27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
STMicroelectronics
0
现货
1,000 : ¥10.53720
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
163 毫欧 @ 10A,10V
4.75V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±25V
1320 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.58396
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7.5A(Tc)
10V
595 毫欧 @ 3.75A,10V
4.75V @ 250µA
12.4 nC @ 10 V
±25V
390 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.11184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
378 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO220
STMicroelectronics
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
26A(Tc)
-
-
-
-
±25V
-
-
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
MOSFET N-CH 600V TO247
STW35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO247
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
26A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
150°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
/ 22

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。