STP27N60M2-EP 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥20.02933
规格书

类似


onsemi
现货: 1,209
单价: ¥33.91000
规格书

类似


onsemi
现货: 668
单价: ¥31.28000
规格书

类似


onsemi
现货: 2,195
单价: ¥35.55000
规格书

类似


onsemi
现货: 143
单价: ¥38.75000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 500
单价: ¥32.02000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,284
单价: ¥47.21000
规格书

STP27N60M2-EP

DigiKey 零件编号
497-16489-5-ND
制造商
制造商产品编号
STP27N60M2-EP
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 170W(Tc) TO-220
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STP27N60M2-EP 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
163 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1320 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
170W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
基本产品编号